其它二极管收购

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如果性能也不错（但不低的击穿电压），可以在玩具和其他低电压应用中，铜可如果损坏被回收。

只要有无损伤，无性能劣化可以重用,,在与特定的电路，具体情况而定。

有报废二极管卖吗？我们回收废二极管，LED等

除外，其也被夸大二极管收购。

二极管的二极管。它与装配四个二极管良好的正向特性一致。即使其它变容二极管具有调制的目的，但它们通常是直接用作FM。 5、混合器二极管

收购二极管次品。

使用二极管，500〜10,000Hz的频率范围，和肖特基二极管的多点接触型混合模式。 6、二极管

放大二极管，隧道二极管，并且通常不得不依赖扩增作为负电阻器件本体二极管，并且变容二极管可变放大。因此，通常是指在放大二极管隧道二极管

其它二极管采集：常规二极管可以做

的二极管分类根据二极管。

主要被配置为通过一个半导体二极管的PN结的分类工作。与PN结和肖特基接触点型积分也被包括在一般二极管的范围之内。这两种型号包括根据表面的特性的内，PN结结构，晶体二极管分类如下：1 二极管正负。

，点接触二极管

点接触二极管压接触单个硅晶片上锗或金属针后，再由电流法来形成。因此，PN结的静电电容，适用于高频电路。然而，与一个结点接触二极管正向特性和反向特性差，因此相比，不能用于大电流和整流器。由于结构简单，这么便宜。用于一般用途的检测和整流，调制，混合，和其他小片信号，这是广泛的应用的类型。 二极管的作用。

2、键型二极管二极管

关键是形成硅锗或焊接或银长丝的单个晶片上。点接触二极管和二极管合金之间的特性。与点接触型相比，虽然PN结型二极管键的电容略有增加，但特别优异的正向特性。多对开关，有时适用于检测和整流功率（小于50mA）。在按键型二极管，二极管焊接金金键类型有时称为，焊接银银二极管有时被称为一个密钥。

。 3、二极管

合金上的N型硅，锗或单个晶片，通过PN结铟合金的方法制备的，金属形成诸如铝。小正向压降，大电流整流器调整。 PN结反向其静电容量，它是不适合于高频检测器和频率整流器。

。如图4所示，高温气体在扩散

型二极管P型杂质加热硅锗或N型的单个晶片，从而使表面成为单P型晶片，这个方法PN结。因为PN结，适用于大电流整流器的正向电压降。近来，大电流整流型硅合金的主流已经转移到硅扩散。

5、台面二极管制造方法二极管符号。

PN结虽然相同类型的扩散，但是，PN结和只留下必要的部分，不必要的部分被蚀刻掉使用药物。其余部分将呈现台阶形状，故名。初始生产的台型半导体材料的由使用扩散法。所以，这又被称为扩散梅萨。对于这种类型的，似乎大电流整流器产品型号小，并与产品型号低电流开关，但很多。

。图6中，半导体芯片（主要是N型硅单结晶基板），一P型杂质扩散，在氧化膜的具有屏蔽晶片表面的作用，只有N型单晶硅晶片上

平面二极管选择性地扩散部的PN结的形成。因此，PN结的面积并不需要调整药物腐蚀。由于半导体表面由太光滑，因此而得名。而且，PN接合面，由覆盖有氧化物膜，已知的是，稳定性和寿命长的类型。最初，使用利用外延法形成在半导体材料，它再次被称为平面外延平面的。平面二极管，模型似乎使用高电流整流小，并且更小的用于切换电流的模型。 开关二极管。

合金扩散型二极管，其是一种合金类型。合金材料易于扩散。适当的浓度是难以制备的材料掺杂有杂质通过巧妙地可以一起通过合金，以便获得已经形成在分配的PN结扩散，杂质。这种方法适合于制造高灵敏度变容二极管。 二极管特性。

产生具有由二极管形成外延表面的一个漫长的过程外延PN结二极管。它需要非常高的技术制造。因为它可以自由地控制不同浓度的杂质的分布，很适合用于制造高灵敏度的变容二极管。

。 9、肖特基二极管是

基本原理是：金属（例如，铅）和半导体（N型硅晶片），通过反向电压所形成的肖特基势垒的接触表面。肖特基整流效果PN结有原则有根本的区别。压力的程度只有约40V。其特点是：非常快速切换：反向恢复时间trr特别短。因此，开关二极管可以制造和低电压高电流整流二极管。

其次，根据分类

使用。 1、在检测将

二极管的原则而言，调制信号从输入信号检测提取，大小为所述输出电流的边界上的整流电流（100毫安）的通常小于100mA它称为检测。锗材料点接触型，高达400MHz，低正向压降，小的结电容，高检测效率，良好的频率特性，2AP的类型的工作频率。类似点接触型检测器诸如二极管，除了用于检测，而且也可用于削波，削波，调制器，混频器，开关和其它电路。 FM检测器也有为的特性的特定双二极管组合良好的均匀性。

2、原则上整流二极管二极管图片。

，AC输入，以获得从DC的输出进行整流。整流电流（100毫安）中的输出电流的边界的大小大于100毫安通常称为整流。结，小于千赫工作频率，从25伏至3000伏的A〜X中的总共22个副文件的最大反向电压。分类如下：①型硅半导体整流二极管2CZ，②QL型硅桥式整流器，③为近100KHz的2CLG的工作频率的电视型硅堆高电压。

3、最

限制器二极管可以被用作使用的限幅二极管。仪表也用作高频和特殊齐纳二极管管诸如限幅器。为了使这些二极管具有特别强的效果限制尖锐振幅，使用硅二极管通常被制造。这样的组件也被售出：极限电压所需要的基础上，串联连接的整流二极管的必要数量以形成一个整体。

4、调制通常是指二极管

专用二极管环形调制器。正向特性是良好的一致性组件的四个二极管。即使有其他的变容二极管调制用途，但它们通常是直接作为调频。 二极管工作原理。

。 5、使用二极管

混合器类型，在500〜10,000Hz的频率范围内的二极管混频器，和肖特基二极管的多点接触型。

6、放大二极管

二极管，隧道二极管，并且通常不得不依赖扩增作为负电阻装置本体二极管，并且变容二极管的放大参数。因此，通常它指的是扩增二极管隧道二极管，体效应和变容二极管。 二极管原理。

7、开关二极管具有在使用低电流（10mA拉度），并在激励开关二极管数百毫安使用的磁芯贴片二极管。

逻辑运算。低电流开关二极管通常很少接触密钥类型等，以及一个二极管，和硅扩散，台面和平面的二极管可以在高温下操作。专业快速开关二极管的开关速度。虽然肖特基型二极管特别短的切换时间，所以它是一个理想的开关二极管。 2AK点接触型介质的高速开关电路; 2CK平面与高速开关电路接触;开关和一个限幅器，或钳位检波电路;肖特基（SBD）硅的高电流开关，正向压降小，速度快，高效。 什么是二极管。

8、变容

用于自动频率控制（AFC）低功率二极管和用于调谐所述变容二极管。日本企业也有很多其他流行的名。通过施加反向电压，从而PN结的静电电容发生变化。因此，它是用于自动频率控制，扫描振荡，频率调制和调谐的目的。典型地，虽然硅二极管的扩散，但也可以由结合的特殊合金扩散型外延，如双扩散型二极管的，这是因为这些电压的二极管，电容变化率特别大。与反向电压VR结电容的变化，而不是可变电容器，作为调谐电路，振荡电路，锁相环，在信道转换电路的电视调谐器和多硅材料的调谐常用。

。 9、用于二极管的频率乘以，还有依靠变容倍频并依赖于一个步骤（即，CML）二极管倍频器二极管的特性。

二极管倍频器。用变容二极管倍频器被称为变容二极管，虽然相同的原理可以是自动频率控制和变容二极管可变电抗器，但反应器的配置是能够承受高功率。步骤二极管也被称为阶跃恢复二极管从导通切换时的反向恢复时间短TRR为关闭，因此，其特长是迅速缩小过渡时间显着变短。如果正弦波被施加到SRD，然后，因为TT（过渡时间）短，从而使输出波形被夹断闪烁，并且它可以产生大量的高频谐波。

10、代替所述电压调节器是一个齐纳二极管

二极管的电子产品。它是由硅扩散或变成合金。反向击穿特性曲线是在二极管突然变化。作为控制电压，并在生产中使用的标准电压。从3V操作至约150V，根据每一位的10％时，二极管电压（也称为齐纳电压）可被划分成若干等级。在动力方面，也从为200mW至100W以上的产品。在反向击穿状态，硅材料，动态电阻RZ工作非常小，通常2CW类型;串联连接的，以降低温度系数的两个互补的反向二极管相比2DW类型。

11、PIN二极管（PIN二极管）

其是P和N区域夹着本征半导体层（或低杂质浓度半导体）二极管的晶体结构之间。 PIN在这个意义上我是“内在”的英文缩写。当超过100MHz的，更工作频率由于少数载流子的存储效应和“本征”层渡越时间的效果，这是一个二极管整流动作，并成为丢失阻抗元件，所述阻抗与所述偏置电压变化值。在零或反向偏压的DC偏压，阻抗“内在”区域高;当直流正向偏压，由于载流子注入“内在”区域，所述“固有的”区域表现出低的阻抗状态。因此，PIN二极管可被用作可变阻抗元件。它经常在高频开关（即微波开关），相移，调制，限幅器和其它电路使用。

12、雪崩二极管（雪崩二极管）

其是可以产生高频振荡晶体管的施加电压的作用下。作品，以产生高频振荡栾：晶体的雪崩击穿注入载流子由于晶片载体转运需要一些时间，所以电压，延迟时间发生时，如果适当地控制过渡的时间越多电流滞后，然后将有上的电流和电压之间的关系负阻效应，从而产生高频振荡。它通常在微波振荡电路的领域中使用。

13、江崎二极管（隧道二极管）快恢复二极管。

隧道电流作为晶体二极管电流的主要成分。其基底材料是砷化镓和锗。该高掺杂的N型区域的P型区域（即，高浓度的杂质）。从这些隧道电流产生的状态简并半导体量子力学效应。发生隧穿有以下三种情况：①费米能级位于满带和导带; ②空间电荷层宽度非常窄（0、01微米或更小）;孔的P型和N型区域的简并半导体区域和有在同一水平上的电子重叠的可能性。江崎二极管是双端有源器件。其中，下标“P”代表“峰”的主要参数谷电流比（IP / PV）;下标“V”代表“谷”。江崎二极管可以应用到一个低噪声高频放大器和振荡器频率（工作频率高达毫米波带），但也可以在高速开关电路使用。

14、快速关断（步骤恢复）二极管（步骤Recovary二极管）

它也是具有PN结的二极管。该结构的特征在于：具有在边界处的PN结的区域中具有陡峭的杂质分布，从而形成“自场”。由于在正向偏压PN结，少数载流子传导，并且具有在所述PN结附近的电荷存储效应，反向电流，使得需要减少经过“存储时间”分钟（反向饱和电流值）。阶跃恢复二极管“自场”缩短存储时间时，反向电流关断快，产生富含谐波分量。这些谐波分量可以使用梳状频谱发生电路来设计。快速关断（步骤恢复）二极管用于脉冲电路和高次谐波。

15、肖特基二极管（肖特基二极管）

它是肖特基“金属 - 半导体结”二极管的特性。开始它的正向电压较低。除了金属层，其也可以使用金，钼，镍，钛等材料的材料。所述半导体材料是硅或砷化镓，多N型半导体。此设备是多数载流子的传导，因此相比于PN结的导电多的少数载流子的反向饱和电流。由于肖特基二极管的存储效果几乎没有少数载流子，从而使RC时间常数的频率响应仅仅限于，因此它是理想的快速开关和高频器件。其工作频率高达100GHz的。和，MIS（金属 - 绝缘体 - 半导体）肖特基二极管或太阳能电池可以被用于制造发光二极管。

16、具有较高的反向电压和峰值电流二极管作用。

阻尼二极管，低正向压降，高频高压整流二极管，在电视行扫描电路用于升压和整流阻尼。

17中，瞬态电压抑制二极管

TVP管，快过电压保护电路，分二单极和双极，根据峰值功率和电压（500W-5000W）（8、2V〜200V）的分类。

18、双 - 基极二极管（单结晶体管）

两个基，三极终端负电阻器件发射弛豫振荡电路，定时电压读出电路，具有一个频率，其易于调整和良好的温度稳定性。 二极管正负电路图。

。 19、一种发光二极管

磷化镓，磷砷化镓制成小尺寸的材料，发光向前行驶。工作电压低，电流，发光均匀，寿命长，红，黄，绿单色光。 二极管型号。

3、根据特征4148二极管。

点接触二极管分类，如下所述向前方向和相反的特性进行分类。

。 1、一般用作为标题中所述的点接触二极管

这样的二极管，在检测和整流电路，通常使用中，前向和反向特性既不特别好也不特别坏的中间产品。如：SD34、SD46,1N34A等等都属于这一类。

2、高点接触二极管反向电压是高

最大峰值和最大直流反向电压反向电压产品。用于检测和整流的高电压电路。这种类型的二极管正向特性一般不太好或一般。在点接触型二极管锗，有SD38,1N38A，OA81等。这种材料是一种锗二极管，其电压被限制。硅合金和扩散。当更多。

3、高点接触二极管的反向电阻

正向电压特性和相同的一般的二极管。尽管反向击穿电压也特别高，但反向电流小，所以它是一种特殊的高反向电阻。在高电阻和高电阻负载电阻中使用的电路的输入电路，其具有以锗二极管高反向电阻而言，SD54,1N54A等属于该二极管的材料。

如果性能也不错（但不低的击穿电压），可以在玩具和其他低电压应用中，铜可如果损坏被回收。 二极管参数。

只要有无损伤，无性能劣化可以重用,,在与特定的电路，具体情况而定。 二极管伏安特性曲线。

有报废二极管卖吗？我们回收废二极管，LED等

除外，其也被夸大二极管英文。

二极管的二极管。它与装配四个二极管良好的正向特性一致。即使其它变容二极管具有调制的目的，但它们通常是直接用作FM。 5、混合器二极管

使用二极管，500〜10,000Hz的频率范围，和肖特基二极管的多点接触型混合模式。 6、二极管二极管电路图。

放大二极管，隧道二极管，并且通常不得不依赖扩增作为负电阻器件本体二极管，并且变容二极管可变放大。因此，通常是指在放大二极管隧道二极管

其它二极管采集：常规二极管可以做

的二极管分类根据

主要被配置为通过一个半导体二极管的PN结的分类工作。与PN结和肖特基接触点型积分也被包括在一般二极管的范围之内。这两种型号包括根据表面的特性的内，PN结结构，晶体二极管分类如下：1

，点接触二极管

点接触二极管压接触单个硅晶片上锗或金属针后，再由电流法来形成。因此，PN结的静电电容，适用于高频电路。然而，与一个结点接触二极管正向特性和反向特性差，因此相比，不能用于大电流和整流器。由于结构简单，这么便宜。用于一般用途的检测和整流，调制，混合，和其他小片信号，这是广泛的应用的类型。

2、键型二极管二极管

关键是形成硅锗或焊接或银长丝的单个晶片上。点接触二极管和二极管合金之间的特性。与点接触型相比，虽然PN结型二极管键的电容略有增加，但特别优异的正向特性。多对开关，有时适用于检测和整流功率（小于50mA）。在按键型二极管，二极管焊接金金键类型有时称为，焊接银银二极管有时被称为一个密钥。

。 3、二极管一个灯一个开关接线图。

合金上的N型硅，锗或单个晶片，通过PN结铟合金的方法制备的，金属形成诸如铝。小正向压降，大电流整流器调整。 PN结反向其静电容量，它是不适合于高频检测器和频率整流器。 其它二极管收购

。如图4所示，高温气体在扩散

型二极管P型杂质加热硅锗或N型的单个晶片，从而使表面成为单P型晶片，这个方法PN结。因为PN结，适用于大电流整流器的正向电压降。近来，大电流整流型硅合金的主流已经转移到硅扩散。

5、台面二极管制造方法

PN结虽然相同类型的扩散，但是，PN结和只留下必要的部分，不必要的部分被蚀刻掉使用药物。其余部分将呈现台阶形状，故名。初始生产的台型半导体材料的由使用扩散法。所以，这又被称为扩散梅萨。对于这种类型的，似乎大电流整流器产品型号小，并与产品型号低电流开关，但很多。

。图6中，半导体芯片（主要是N型硅单结晶基板），一P型杂质扩散，在氧化膜的具有屏蔽晶片表面的作用，只有N型单晶硅晶片上

平面二极管选择性地扩散部的PN结的形成。因此，PN结的面积并不需要调整药物腐蚀。由于半导体表面由太光滑，因此而得名。而且，PN接合面，由覆盖有氧化物膜，已知的是，稳定性和寿命长的类型。最初，使用利用外延法形成在半导体材料，它再次被称为平面外延平面的。平面二极管，模型似乎使用高电流整流小，并且更小的用于切换电流的模型。

合金扩散型二极管，其是一种合金类型。合金材料易于扩散。适当的浓度是难以制备的材料掺杂有杂质通过巧妙地可以一起通过合金，以便获得已经形成在分配的PN结扩散，杂质。这种方法适合于制造高灵敏度变容二极管。

产生具有由二极管形成外延表面的一个漫长的过程外延PN结二极管。它需要非常高的技术制造。因为它可以自由地控制不同浓度的杂质的分布，很适合用于制造高灵敏度的变容二极管。

。 9、肖特基二极管是

基本原理是：金属（例如，铅）和半导体（N型硅晶片），通过反向电压所形成的肖特基势垒的接触表面。肖特基整流效果PN结有原则有根本的区别。压力的程度只有约40V。其特点是：非常快速切换：反向恢复时间trr特别短。因此，开关二极管可以制造和低电压高电流整流二极管。

其次，根据分类

使用。 1、在检测将

二极管的原则而言，调制信号从输入信号检测提取，大小为所述输出电流的边界上的整流电流（100毫安）的通常小于100mA它称为检测。锗材料点接触型，高达400MHz，低正向压降，小的结电容，高检测效率，良好的频率特性，2AP的类型的工作频率。类似点接触型检测器诸如二极管，除了用于检测，而且也可用于削波，削波，调制器，混频器，开关和其它电路。 FM检测器也有为的特性的特定双二极管组合良好的均匀性。

2、原则上整流二极管

，AC输入，以获得从DC的输出进行整流。整流电流（100毫安）中的输出电流的边界的大小大于100毫安通常称为整流。结，小于千赫工作频率，从25伏至3000伏的A〜X中的总共22个副文件的最大反向电压。分类如下：①型硅半导体整流二极管2CZ，②QL型硅桥式整流器，③为近100KHz的2CLG的工作频率的电视型硅堆高电压。

3、最

限制器二极管可以被用作使用的限幅二极管。仪表也用作高频和特殊齐纳二极管管诸如限幅器。为了使这些二极管具有特别强的效果限制尖锐振幅，使用硅二极管通常被制造。这样的组件也被售出：极限电压所需要的基础上，串联连接的整流二极管的必要数量以形成一个整体。

4、调制通常是指二极管

专用二极管环形调制器。正向特性是良好的一致性组件的四个二极管。即使有其他的变容二极管调制用途，但它们通常是直接作为调频。

。 5、使用二极管

混合器类型，在500〜10,000Hz的频率范围内的二极管混频器，和肖特基二极管的多点接触型。

6、放大二极管

二极管，隧道二极管，并且通常不得不依赖扩增作为负电阻装置本体二极管，并且变容二极管的放大参数。因此，通常它指的是扩增二极管隧道二极管，体效应和变容二极管。

7、开关二极管具有在使用低电流（10mA拉度），并在激励开关二极管数百毫安使用的磁芯

逻辑运算。低电流开关二极管通常很少接触密钥类型等，以及一个二极管，和硅扩散，台面和平面的二极管可以在高温下操作。专业快速开关二极管的开关速度。虽然肖特基型二极管特别短的切换时间，所以它是一个理想的开关二极管。 2AK点接触型介质的高速开关电路; 2CK平面与高速开关电路接触;开关和一个限幅器，或钳位检波电路;肖特基（SBD）硅的高电流开关，正向压降小，速度快，高效。

8、变容

用于自动频率控制（AFC）低功率二极管和用于调谐所述变容二极管。日本企业也有很多其他流行的名。通过施加反向电压，从而PN结的静电电容发生变化。因此，它是用于自动频率控制，扫描振荡，频率调制和调谐的目的。典型地，虽然硅二极管的扩散，但也可以由结合的特殊合金扩散型外延，如双扩散型二极管的，这是因为这些电压的二极管，电容变化率特别大。与反向电压VR结电容的变化，而不是可变电容器，作为调谐电路，振荡电路，锁相环，在信道转换电路的电视调谐器和多硅材料的调谐常用。

。 9、用于二极管的频率乘以，还有依靠变容倍频并依赖于一个步骤（即，CML）二极管倍频器

二极管倍频器。用变容二极管倍频器被称为变容二极管，虽然相同的原理可以是自动频率控制和变容二极管可变电抗器，但反应器的配置是能够承受高功率。步骤二极管也被称为阶跃恢复二极管从导通切换时的反向恢复时间短TRR为关闭，因此，其特长是迅速缩小过渡时间显着变短。如果正弦波被施加到SRD，然后，因为TT（过渡时间）短，从而使输出波形被夹断闪烁，并且它可以产生大量的高频谐波。

10、代替所述电压调节器是一个齐纳二极管

二极管的电子产品。它是由硅扩散或变成合金。反向击穿特性曲线是在二极管突然变化。作为控制电压，并在生产中使用的标准电压。从3V操作至约150V，根据每一位的10％时，二极管电压（也称为齐纳电压）可被划分成若干等级。在动力方面，也从为200mW至100W以上的产品。在反向击穿状态，硅材料，动态电阻RZ工作非常小，通常2CW类型;串联连接的，以降低温度系数的两个互补的反向二极管相比2DW类型。

11、PIN二极管（PIN二极管）

其是P和N区域夹着本征半导体层（或低杂质浓度半导体）二极管的晶体结构之间。 PIN在这个意义上我是“内在”的英文缩写。当超过100MHz的，更工作频率由于少数载流子的存储效应和“本征”层渡越时间的效果，这是一个二极管整流动作，并成为丢失阻抗元件，所述阻抗与所述偏置电压变化值。在零或反向偏压的DC偏压，阻抗“内在”区域高;当直流正向偏压，由于载流子注入“内在”区域，所述“固有的”区域表现出低的阻抗状态。因此，PIN二极管可被用作可变阻抗元件。它经常在高频开关（即微波开关），相移，调制，限幅器和其它电路使用。

12、雪崩二极管（雪崩二极管）

其是可以产生高频振荡晶体管的施加电压的作用下。作品，以产生高频振荡栾：晶体的雪崩击穿注入载流子由于晶片载体转运需要一些时间，所以电压，延迟时间发生时，如果适当地控制过渡的时间越多电流滞后，然后将有上的电流和电压之间的关系负阻效应，从而产生高频振荡。它通常在微波振荡电路的领域中使用。

13、江崎二极管（隧道二极管）

隧道电流作为晶体二极管电流的主要成分。其基底材料是砷化镓和锗。该高掺杂的N型区域的P型区域（即，高浓度的杂质）。从这些隧道电流产生的状态简并半导体量子力学效应。发生隧穿有以下三种情况：①费米能级位于满带和导带; ②空间电荷层宽度非常窄（0、01微米或更小）;孔的P型和N型区域的简并半导体区域和有在同一水平上的电子重叠的可能性。江崎二极管是双端有源器件。其中，下标“P”代表“峰”的主要参数谷电流比（IP / PV）;下标“V”代表“谷”。江崎二极管可以应用到一个低噪声高频放大器和振荡器频率（工作频率高达毫米波带），但也可以在高速开关电路使用。

14、快速关断（步骤恢复）二极管（步骤Recovary二极管）

它也是具有PN结的二极管。该结构的特征在于：具有在边界处的PN结的区域中具有陡峭的杂质分布，从而形成“自场”。由于在正向偏压PN结，少数载流子传导，并且具有在所述PN结附近的电荷存储效应，反向电流，使得需要减少经过“存储时间”分钟（反向饱和电流值）。阶跃恢复二极管“自场”缩短存储时间时，反向电流关断快，产生富含谐波分量。这些谐波分量可以使用梳状频谱发生电路来设计。快速关断（步骤恢复）二极管用于脉冲电路和高次谐波。

15、肖特基二极管（肖特基二极管）

它是肖特基“金属 - 半导体结”二极管的特性。开始它的正向电压较低。除了金属层，其也可以使用金，钼，镍，钛等材料的材料。所述半导体材料是硅或砷化镓，多N型半导体。此设备是多数载流子的传导，因此相比于PN结的导电多的少数载流子的反向饱和电流。由于肖特基二极管的存储效果几乎没有少数载流子，从而使RC时间常数的频率响应仅仅限于，因此它是理想的快速开关和高频器件。其工作频率高达100GHz的。和，MIS（金属 - 绝缘体 - 半导体）肖特基二极管或太阳能电池可以被用于制造发光二极管。

16、具有较高的反向电压和峰值电流

阻尼二极管，低正向压降，高频高压整流二极管，在电视行扫描电路用于升压和整流阻尼。

17中，瞬态电压抑制二极管

TVP管，快过电压保护电路，分二单极和双极，根据峰值功率和电压（500W-5000W）（8、2V〜200V）的分类。

18、双 - 基极二极管（单结晶体管）

两个基，三极终端负电阻器件发射弛豫振荡电路，定时电压读出电路，具有一个频率，其易于调整和良好的温度稳定性。

。 19、一种发光二极管

磷化镓，磷砷化镓制成小尺寸的材料，发光向前行驶。工作电压低，电流，发光均匀，寿命长，红，黄，绿单色光。

3、根据特征

点接触二极管分类，如下所述向前方向和相反的特性进行分类。

。 1、一般用作为标题中所述的点接触二极管

这样的二极管，在检测和整流电路，通常使用中，前向和反向特性既不特别好也不特别坏的中间产品。如：SD34、SD46,1N34A等等都属于这一类。

2、高点接触二极管反向电压是高

最大峰值和最大直流反向电压反向电压产品。用于检测和整流的高电压电路。这种类型的二极管正向特性一般不太好或一般。在点接触型二极管锗，有SD38,1N38A，OA81等。这种材料是一种锗二极管，其电压被限制。硅合金和扩散。当更多。

3、高点接触二极管的反向电阻

正向电压特性和相同的一般的二极管。尽管反向击穿电压也特别高，但反向电流小，所以它是一种特殊的高反向电阻。在高电阻和高电阻负载电阻中使用的电路的输入电路，其具有以锗二极管高反向电阻而言，SD54,1N54A等属于该二极管的材料。

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