二三极管方案

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晶体管方案：二三极管知识

二极管的特性，并在几乎所有的电子电路中的应用

在半导体二极管中使用，它在许多电路中的重要作用，它是第一个半导体器件的一个的诞生，它也被广泛使用。

晶体二极管作品作为p型半导体和n型半导体层形成的二极管的p-n结形成于空间电荷的两侧在其界面上，且具有自建电场。当所施加的电压不存在时，由于在漂移电流和引起的自感应电场相等且在电平衡扩散电流之间的载流子浓度差的两侧上的p-n结。当外部正向电压被偏置，抑制相互作用消除外部电场和自扩散电流载体由于正向电流增加。当外部电压被反向偏置，并且外部电场进一步加强在一定范围内的自我，一个反向饱和电流I0反向电压无论反向偏置电压的值的。当施加的反向电压是高到一定程度，在pn结的空间电荷层的电场的强度达到载波的乘法的临界值生成处理中，生成所产生的数值大的反向击穿大量电子 - 空穴对电流称为二极管击穿现象。

型二极管二极管

有许多类型，根据所使用的半导体材料，它可以分成一个锗二极管（锗管）和硅二极管（硅管）。根据其不同的用途，它可以被分为检波二极管，整流二极管，齐纳二极管，二极管开关，隔离二极管，肖特基二极管，发光二极管。根据模具结构，可分为点接触二极管，该二极管面接触型和平面型二极管。与压在半导体晶片的表面平滑的非常细的金属线点接触二极管，一个脉冲电流通过与牢固烧结在一起以形成一晶片上的灯丝端部接触传递“PN结”。由于点接触，只允许一个较小的电流（高达几十mA）通过，适用于高频小电流电路，如无线电检测和类似物。面接触型二极管“PN结”大面积，允许大电流（数安培到数十安培的），主要用于将交变电流为直流电流“整流”电路。平面二极管为硅二极管特殊的，不仅通过大电流，性能可靠，且多为开关，和一个高频脉冲电路。二极管导电性能

二极管的最重要的特征是在一个方向上导电。在该电路中，电流只从二极管，阴极流出物的阳极流动。以下描述了二极管的正向和反向特性通过简单的实验的特性。

1、正向特性。 二三极管方案

的电子电路，该二极管的阳极被连接到高电位侧，连接到低电位侧的负极，该二极管将被导通，该连接被称为前向偏压。据描述，当在二极管两端施加正向电压小，则二极管仍然没有通过二极管的正向非常弱导通时，电流流过。只有当正向电压达到一定值（此值作为“阈值电压”指的是，锗管是大约0、2V，大约0、6V的硅管）的二极管导通到线性正后。二极管两端的电压后基本上不变导通（锗管是大约0、3V，大约0、7V的硅管），所述二极管被称为“正向电压降。”

2、逆特性。

电子电路，该二极管的阳极被连接到低电位侧，连接到高电位侧的时候，几乎没有电流流过二极管，二极管处于截止状态，此时，这种负极的连接时，称为反向偏置。当二极管被反向偏置，仍然会有一个微弱的反向电流流过二极管，称为漏电流。当跨越二极管增大到一定值的反向电压时，反向电流将急剧增加，二极管将失去单向导电性，该状态被称为击穿二极管。用于表示一个二极管

二极管性能的质量和技术规格的适用范围的主要参数，参数称为二极管。不同类型的二极管有不同的参数。首先，必须理解以下主要参数：

1、额定正向电流

手段以允许二极管值的最大正向电流通过长期连续运行。由于通过热的电流使管模头，温度升高时，温度超过可允许限度（约140的硅管，锗管是大约90），所述模具将导致过热和损坏。因此，使用二极管的二极管的正向电流的不超过额定值。例如，标称IN4001-4007普通型锗二极管的正向电流为1A。

最高反向电压施加在二极管两端以高反向电压为某一值，该管将击穿，单向导电性的损失。为了确保安全使用，它提供了最大反向电压值。例如，二极管IN4001 50V的反向击穿电压，IN4007反向耐受1000V的电压。

。 3、

反向电流二极管的反向电流为最高温度和预定的反向电压时的反向电流流过二极管下被施加。反向电流，在一个方向上导电性的管的性能越好。值得注意的是，反向电流和温度密切相关，温度升高到约10、反向电流加倍。例如。 2AP1型锗二极管，如果250uA的反向电流，将温度升高至35、反向电流将上升到500uA的，依此类推，在75、已达到其反向电流8毫安，不仅失去了25单向导电性，但也过热而损坏管。作为另一示例，2CP10硅二极管，只有25 5UA的反向电流，温度升高至75、反向电流也160uA。因此，锗比硅二极管二极管在高温下具有良好的稳定性。

二极管鉴定小功率二极管N极（负极），通常采用色环上的外二极管标注出来，二极管二极管也有一些特殊的符号P极（正极）或N极（负极），有使用所述符号标志是“P”，“N”，以确定二极管的极性。正和负发光二极管可以从销的长度来识别，管脚长度是正的，负的短腿。当用数字万用表到二极管测量时，红色笔接二极管阴极，黑笔接二极管的阴极，此时测得的电阻值是二极管的正向传导的阻力，这是笔指针万用表连接刚刚相反。晶体管被称为双极型晶体管，它是利用2种电子和其操作空穴载流子的运动，称为晶体管。放大晶体管理解记住：没有理由来产生能量，从而使晶体管不会产生能量，但晶体管强大是这样的：它可以通过一个小电流来表征大电流放大控制原理：通过一个小的AC输入，控制大型静态直流。半导体晶体管

内部二极管

内部结构仅是一个pn结，如果半导体二极管的p型半导体侧，加上图1中的n型半导体。 5-1（A）所示。图。 5-1（a）中可以看出，具有两个pn结的装置的内部结构，和n型半导体和p型半导体区域形成三个交替排列，称为发射极，基极和集电极区域。从三个引脚引出被称为发射极区，基极和集电极，用符号E，B，C来表示。在发射极和发射极被称为pn结的基极结;在基极区域和在集电结的结集电极区域被称为pn结。具有这种结构装置被称为三极管特性。

晶体管往往所述双极型晶体管（BJT），简称为晶体管或晶体管。在电路中的晶体管用于表示字母t。由于内部晶体管两个pn结的相互影响，从而使晶体管具有电流放大作用没有一个单一的pn结，pn结开辟了新的应用领域，以促进电子技术的发展。图

由5-1（a）中被示出npn型半导体材料的三个区晶体管，因此，这种结构被称为晶体管npn型晶体管，图5-1（b）是npn晶体管点符号，箭头符号表示发射极结中的正向偏置电流流过。

同样的原理也可以由pnp型三极管构成，图5-2（a）中，（b）是pnp晶体管符号和内部结构。图

5-1和5-2可以看出，这两种类型的码元之间的差的晶体管发射极结仅在箭头的方向上，在正向发射极结的偏置电流指向理解箭头表示流动，便于记忆晶体管的npn并在同一时间pnp型符号也可以根据箭头型晶体管方向来确定。

例如，当我们看到“”符号，如箭头符号被从发射极到基极，当在正向偏压发射结描述定向，发射极电流从基极中流动。已知的是，当在正向偏压的pn结，电流流动是基于先前由n型半导体的p型半导体，由此可得到所讨论的内容，该晶体管的基极区域是p型半导体，另外两个是n型半导体区，从而使晶体管是npn型晶体管。

晶体管结构晶体管几种常见的形状，这是具有三个电极的共同特征，即是“三极管”所指的原点。通俗的讲，由P型半导体层结构和N型半导体的内部晶体管，根据NPN型和PNP型两大类的分层顺序划分。 NPN型（通常为硅管）和PNP（锗管典型的）的三层结构是在上述晶体管的三个区域中，中间层是相对薄的基极区，另外两个具有N型或P型，其中，所述尺寸是比较小的，多数载流子的相对高浓度的发射一个区域，相比另一集电区。晶体管的这种内部结构特点，晶体管是能够作为放大的内部条件发挥功能。三个引出区域中的每个的三个电极，分别是基极（B），发射极（E）和集电极（C）。可在PN结中形成的两个三层结构，它们被称为发射极和集电极结。箭头的晶体管方向表示的方向符号是发射极结。有具有单向导电性的PN结的两个内部晶体管结构，当然，作为开关元件，但是可以在三极管放大元件是它的出现使电子技术的迅速发展。 2

放大晶体管的电流的DC电压源Vbb的是大于Vcc，从而使电路的外部条件，以满足扩增：发射极结正向偏置时，集电极反向偏置。改变的可调电阻器Rb，所述IB基极电流时，集电极电流Ic和发射极电流IE会发生变化，测量结果可以得出结论：

（1）IE = IB + IC（遵守基尔霍夫定理电流）

（2）IC≈IB×？ （？称为电流放大系数，可以表征晶体管的电流放大能力）

（3）△IC≈△IB×？

从上面看，具有模拟装置的电流放大的晶体管。

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