EMI抑制代理

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东莞市石碣新城，粤丰路195号西（）

电话：（0769）前摄抑制和后摄抑制。

传真：（0769）前摄抑制和倒摄抑制。

如何解决电磁干扰（EMI / RFI） /射频干扰

电磁干扰（EMI）和射频干扰（RFI）抑制措施和Hill 抑制。

桂建平黄晓峰（兰州工业学院兰州）

。 1引言随着电子系统越来越骨髓抑制。

精密，复杂和多功能，电子干扰的日益严重的问题，它将使系统的变化，削弱性能，甚至导致系统的彻底失败。特别是，EMI / RFI（电磁干扰/射频干扰）问题，已经成为电子行业的重点在最近几年。出于这个原因，专业委员会的许多国家都制定了电子产品的电磁波不会泄露，抗干扰能力提出了严格的法规和实施细则。 EMI抑制代理

美国联邦通信委员会（FCC）于1983年颁布的20780个文档，EMI计算机设备限制;德国政府颁发的EMI的VDE规格限制，在辐射和辐射方面的限制比FCC规则更加严格;欧洲共同体加入RF抑制，静电放电抗扰度和电源线和在说明书中VDE等指标。 FCC，VDE规格到电子设备A（工业设备）和B（消费设备）2、如表1所示。另外

特别限定，有一系列的适用于电子文档EMI / RFI防护标准：MIL -STD-461、MIL-STD-462、MIL-STD-463、MIL-STD-826、MIL-E-6051、MIL-I-6181、抑制的意思。

MIL-I-11748、MIL-I-26600、 MSFC-SPEC279、所有这些规范性文件的电子干扰保护系统发挥了重要作用。本文讨论的电子电路和系统的EMI / RFI和抑制措施的特征。 前摄抑制。

2 EMI / RFI干扰表征抑制类毒品。

电子系统主要电磁干扰（EMI），射频干扰（RFI）和电磁脉冲（EMP）根据它们的外部和内部的来源三种类型可分为，每个2种电气和电子设备可以被看作是干扰源，如干扰源比比皆是。 EMI是响应于所述电子装置的世代无用; EMI RFI从所属;的EMP是一个短暂的现象，其可以是内部因素系统（电压浪涌，停电，电感性负载切换等）或外部因素造成的（雷击，核爆炸，等），可被耦合到电线，如电力线和电话线，任何和连接到导线上的电子系统将是一个系统受到永久性损坏严重内瞬时干扰或电子电路。图1示出的干扰和频率范围EMI的共源/ RFI是。 抑制食欲。

2、1

任何方式干扰的干扰问题可以分解为一个干扰源，接收器耦合路径干扰和三个的干扰，即所谓的干扰的三个要素。如通过传导，辐射（寄生电感和电容，干扰源和接收机示于表2

干扰信号（内部连接电路或系统中，干扰源和接收器被用导体连接）大于数波长隔开）和电感（电容效应和电感效应，干扰源和接收器的距离小于几个波长）到接收器。如果干扰信号的频率是低于30兆赫，它通过内部主连接器耦合;如果超过30兆赫，耦合的方式连接器和电缆的辐射泄漏;如果超过300兆赫，耦合通路辐射缝隙和主板。在许多情况下，干扰信号是一个宽带信号，它包括所有的联接上述情况。

2、3 EMI表征

电子系统设计方面都应在三个电磁干扰问题进行考虑：首先，产生的干扰的程度和所发射的电子系统;接着在1〜10 V的强度的电子系统/ M的电磁场3米免疫特性的距离;电子系统内的第三干涉。

3个使用具有EMI需要与FAT-ID概念相关联的干扰的问题分析的元素。 FAT-ID是一个缩写为五个关键因素来描述任何EMI问题固有特性，五个关键参数是频率，振幅，时间，阻抗和距离。事实上，信号的响应时间包含了所有的信息干扰的光谱响应。

在数字系统中，信号的上升时间和脉冲重复率可产生频谱分量是根据下面的公式计算：FAT-ID当施加到电子系统脂肪抑制酶。

，EMI辐射成为信号的上升时间和脉冲重复率二次函数。在抑制是什么意思。

EMI分析的另一重要参数是大小，电线和电缆护套，这是因为，当一个关键因素EMI，电缆或等同的发送天线的干扰，必须考虑的是，屏蔽问题的物理长度。在系统内抑制的近义词。

内部干扰是高速数字线路和模拟线路到其它数字电路中，电源噪声污染或模拟/数字电路敏感的影响。典型地，所产生的数字和模拟电路之间，或驱动器和数字线内部的干扰。

2、3 RFI无线电发射源表征

现实生活中是极其丰富，如广播，电视，移动通信，计算机，电动机，锤等，不胜枚举。所有这些活动将影响电子

电子系统的性能。无论RFI的强度和位置，电子系统必须有一个最低RFI免疫力。在通信，无线电工程，免疫力被定义为装置的灵敏度承受每RFI的单位的功率密度。在大多数

RFI分析，电场强度描述RFI激励，即抑制胃酸的药。

其中E是电场强度（伏/米）; PT是发送功率（毫瓦/平方厘米）。

从“干扰源 - 耦合路径 - 接收机”的观点，所述电场强度E是发射功率，该距离的天线增益和天

功能，即

2其中GA是天线增益; d是从干扰源的距离（米）的电路或系统。

由于模拟电路通常以高增益工作，RF场比的数字电路更敏感，因此，必须解决μVmV级和信号电平;对于数字电路，因为它有一个大的信号摆幅和噪声容限，所以RF场的抑制力更强。 RF场可以通过电感/电容耦合所产生的噪声电压或噪声电流。无源元件的特性。 3

EMI / RFI环境骨髓抑制分级。

合理使用可以降低无源元件EMI / RFI电路或应对干扰的主要工具系统设计者的效果 - 免费，我们充分了解源元素，特别是其非 - 理想的效果。图2示出了在电路无源部件的非理想特性。

可以看出，在高频率，将电线插入该反射线，该电容变为电感电感电容变，谐振电路变为电阻性的。在低频时，具有低电阻（<0、0656Ω/ m）的金属丝，但大约0、079的寄生电感nH的/米，当频率大于13千赫，电感变得，由于非电感可控性，它最终成为发射线。已知的天线理论，无端接传输线到具有增益的天线。

。 4低通滤波器来抑制EMI / RFI应用

低通滤波器是一个长期已知的纯化技术的干扰被使用，它具有对共模和差模噪声较强的抑制作用。图3的电路可用于防止由EM场和RF场干扰的模拟电路。

可以看出，耦合路径干扰信号输入端，一个信号输出和电源的三个点，所以使用高频陶瓷电容器0、1μF解耦所有电源端子的;使用的截止频率以上的信号的低通滤波器的带宽为10〜100倍过滤所有的信号线的。 倒摄抑制。

低通滤波器必须也能保证有效的最高预期的频带，因为实际的低通滤波器的泄漏现象发生在高频，如图。这是由于由电感的效率造成引起效率损失的损失，电容寄生电感的寄生电容。对于低通滤波器（电感器，电容器）中，当输入信号的频率低于滤波器的截止频率更高的100到1000倍时，发生渗漏现象。出于这个原因，一般不采用一个低通滤波器，但被划分为低频带，中频带，和高频带滤波器和每个频带单独提供的，如示于图

图5、为10kHz〜1MHz的低频带宽; IF带宽; 5电源线EMI / RFI抑制对策;电源线EMI / RFI引起的瞬态电压，因此; （1）引入到电源端功率加上混合瞬态保护网络;如图所示，气体放电管和电源的齐纳二极管6、以提供差分模式; （2）使用的隔离变压器; （3）除了整流和电压施加到电源输出端的低频滤波器具有大的电容; C =ΔIΔl/量Δu; ΔI--其中所述电流纹波峰值功率; Δl-

图5、10千赫的低频带宽〜1兆赫; IF 1兆赫〜100兆赫的带宽; 100兆赫〜1GHz的高频带宽。在低通滤波器，如果有任何地阻抗，其中噪声成为高频率的旁路路径，因此，它应该是宽带滤波器以及连接到一个点或一个低阻抗接地层，以优化的过滤性能。高频电容器引脚尽可能短，优选在低电感的表面贴装陶瓷电容器。 抑制食欲的药。

电源线。 5 EMI / RFI抑制对策

电源线EMI / RFI引起的瞬态电压，从而抑制这种干扰对策主要是为了提高系统电路或电压瞬态的适应性。分析证明了如下措施，以提高电源的抗干扰能力是有效的。

（1）在引入端功率加上混合功率瞬态保护网络。在图6中所示

，气体放电管和电源的齐纳二极管提供差分和共模的保护，同时要求不高，金属氧化物变阻器可被用来代替齐纳二极管。用于吸收浪涌电流一种扼流线圈。

（2）使用所述隔离变压器。变压器免受瞬态电压低于300ns的更大很好的保护作用。它应该在具体应用，可以注意到，变压器，保护模式不同的配置不同的连接。通常由四种方式：1）使用标准的未屏蔽的变压器，次级牢固地连接到消除中性点和地之间的压力差; 2）单层变压器法拉第屏蔽，屏蔽和共模保护安全地连接; 3使用单个法拉第屏蔽变压器初级和中性线连接，以实现差动模式保护）; 4）法拉第三层屏蔽变压器可以实现差分，共模的保护，并消除中性点和安全地之间的压力差。

（3）在电源整流器和调节器的输出除被添加到大电容的低频滤波外，然后将低容量应该是无电感的高频滤波电容。容量：抑制的拼音。

C =峰值ΔIΔl/量Δu

其中ΔI--供给电流的波动; Δl--脉动电流宽度; Δu--电源电压的波动的容许值。

（4）具有电源线，以便在所述模块连接端子形成每个电路的闭环，否则，当对应于打开

功率无线终端，高频干扰将被全反射，并且该干扰信号相乘。

（5）尽可能在电源线和电源线为低阻抗接地的接地线，以减少电源噪声。最好使用双绞线饲料。如何

。 6 PCB设计EMI / RFI保护铺设抑制的反义词。

印刷电路板的信号线时，系统会直接关系到电磁干扰和辐射敏感性的电磁能量，良好的PCB设计很可能导致系统的EMC失败。在高频率的噪音，其可以耦合PCB，辐射通过：电力线辐射，所述源阻抗耦合，在公共阻抗耦合，并且辐射串扰的I / O线。因此，在设计中，以下方面应在抑制EMI / RFI考虑。 免疫抑制。

（1）如果条件允许，尽可能使用该装置比实际速度的要求低。因为，器件的更高速度，更严重的EMI问题。对于纳秒设备，因为它们具有宽的带宽，采样时钟和输入的任何形式的高频噪声将响应。对于这样的高速装置中，可以是具有在其I / O端子，以降低灵敏度EMI / RFI环境的过滤器的小的铁氧体磁心的电感器。如果双极性电源，应该是在正和负电源线被添加到铁氧体磁芯电感器。 抑制宫缩的最好办法。

（2）设计合理的电源层，接地层和信号层。 PCB布局应该是一个好关键的模拟信号路径中分离高频源，该数字/模拟高频部分和低的部分彼此分开。多层基板，可以降低EMI辐射和抗RF场比双面10倍或更多的增加。多层安排更好装配到电源层和接地层之间的信号线，这种设计的优点是，一个低阻抗，低辐射，低串扰能够比50MHz的辐射和串扰，但板的含量减少更少量去耦到嵌入式测试信号线困难和限制访问的。特性线

在迹线阻抗（3）印刷电路板。为了防止反射，PCB走线的阻抗的所需要的特性应满足单向传输延迟时间比半的信号的上升/下降时间等于或更大。为此，二英寸/ ns的一般准则应予采纳。表3显示了传统的数字逻辑基于图案2英寸/纳秒长度准则。 2英寸/ ns的原则也适用于痕迹模拟电路设计。对于抑制现象。

绝缘材料层和一功率特性信号/线隔离层PCB板可用如何抑制食欲。

计算的阻抗：其中

εr为PCB材料的介电常数; d是每个层（密耳）的厚度; w是宽度（密耳）;吨

的线厚度（密耳）。的信号迹线层的

方式发送时间由下式确定：微商代理。

例如：一个标准的4层印刷电路板，通常利用0、021〃FR-4（介电常数εr= 4、7）型绝缘材料

分离材料，使用8MIL宽，铜迹线的1、4密耳的层，88Ω的特性阻抗，所述的1、7纳秒/英尺单程传输时间。

总之，在PCB设计，并根据实际情况可以更大，信号线陆线填补了国内空白。使用平行线电源和地，倾向于降低电感。

。 7 代理。

屏蔽技术防止外部EMI屏蔽效应/ RFI电路或系统，但以正确的应用程序掩蔽技术，有必要清除干扰源，环境之间的距离，与所述干扰源对象的干扰等。问题。如果电路或干扰源附近的系统，这取决于干扰源的电磁特性;如果来自干扰源，这取决于传输介质的电磁特性的电路。当该距离小于所述干扰源电路和所述λ/2π（λ是干扰信号的波长）时，电路被认为是接近干扰源，或来自干扰源。有关其特性阻抗

EMI / RFI的影响电路，电磁场的特性阻抗（声阻抗）取决于电场和磁场的比率。对于远场，这是空气的电磁波阻抗的比率（Z =377Ω）;用于近场，取决于干扰波阻抗和从干扰源的距离的固有性质，如果干扰是低电压大电流，磁场占优势的波阻抗是小于377、如果干扰是低 - 电流高电压，电场起主要作用，波阻抗小于377Ω更大。通常闭合的屏蔽导体电路，屏蔽材料的闭合回路导体屏蔽效能取决于内屏蔽

波吸收损失的反射损失和发射的入射表面上。对于电场，频率与反射损耗取决于干扰屏蔽材料，即

适合的封闭屏蔽限制内部干扰和外部干扰是非常有效的防止，但是，在实际工程中，由于在内部调节旋钮电路，开关，连接器和通风大感的原因，常常需要在屏蔽的开口槽，这将削弱屏蔽性能，原因进入系统内部的干扰。在这种情况下屏蔽效能是：屏蔽效能

其中λ是所述干扰信号的波长; L是所述槽的最大长度。当

蔑视满足当屏蔽体槽孔感等于频率干扰，辐射最大值，相当于没有屏蔽效应的半波长的最大长度。为此，在屏蔽槽开口，最大长度小于所述干扰信号的波长的1/20、可以在多个在面而不是平面的开口槽的同时打开。 8、结论游戏代理。

在日益复杂的电磁环境，如何减少彼此之间的电磁干扰，使各种设备和系统的可以正常工作，是一个严重的问题。当仔细地使用不同的方法来EMI / RFI抑制，应该分析他们的组合效应，干扰抑制装置，并用于适当地估计效果，以便获得更好的结果。

9个参考

1范围H W奥特。噪声Rection技术在电子Sys系统，电信设备制造商。第二Editiong。纽约，John Wiley和Sons公司，1988年2

一种富。干涉型噪声。 ANA-日志对话，1982,16（3）：16〜19

3一种富。屏蔽和防护。模拟对话，1983,17（1）：8〜13

音视频接口的EMI/EMC被抑制了，应该怎么办？

东莞市石碣新城，粤丰路195号西（）

电话：（0769）

传真：（0769）

如何解决电磁干扰（EMI / RFI） /射频干扰

电磁干扰（EMI）和射频干扰（RFI）抑制措施和Hill

桂建平黄晓峰（兰州工业学院兰州）

。 1引言随着电子系统越来越

精密，复杂和多功能，电子干扰的日益严重的问题，它将使系统的变化，削弱性能，甚至导致系统的彻底失败。特别是，EMI / RFI（电磁干扰/射频干扰）问题，已经成为电子行业的重点在最近几年。出于这个原因，专业委员会的许多国家都制定了电子产品的电磁波不会泄露，抗干扰能力提出了严格的法规和实施细则。

美国联邦通信委员会（FCC）于1983年颁布的20780个文档，EMI计算机设备限制;德国政府颁发的EMI的VDE规格限制，在辐射和辐射方面的限制比FCC规则更加严格;欧洲共同体加入RF抑制，静电放电抗扰度和电源线和在说明书中VDE等指标。 FCC，VDE规格到电子设备A（工业设备）和B（消费设备）2、如表1所示。另外

特别限定，有一系列的适用于电子文档EMI / RFI防护标准：MIL -STD-461、MIL-STD-462、MIL-STD-463、MIL-STD-826、MIL-E-6051、MIL-I-6181、

MIL-I-11748、MIL-I-26600、 MSFC-SPEC279、所有这些规范性文件的电子干扰保护系统发挥了重要作用。本文讨论的电子电路和系统的EMI / RFI和抑制措施的特征。

2 EMI / RFI干扰表征

电子系统主要电磁干扰（EMI），射频干扰（RFI）和电磁脉冲（EMP）根据它们的外部和内部的来源三种类型可分为，每个2种电气和电子设备可以被看作是干扰源，如干扰源比比皆是。 EMI是响应于所述电子装置的世代无用; EMI RFI从所属;的EMP是一个短暂的现象，其可以是内部因素系统（电压浪涌，停电，电感性负载切换等）或外部因素造成的（雷击，核爆炸，等），可被耦合到电线，如电力线和电话线，任何和连接到导线上的电子系统将是一个系统受到永久性损坏严重内瞬时干扰或电子电路。图1示出的干扰和频率范围EMI的共源/ RFI是。

2、1

任何方式干扰的干扰问题可以分解为一个干扰源，接收器耦合路径干扰和三个的干扰，即所谓的干扰的三个要素。如通过传导，辐射（寄生电感和电容，干扰源和接收机示于表2

干扰信号（内部连接电路或系统中，干扰源和接收器被用导体连接）大于数波长隔开）和电感（电容效应和电感效应，干扰源和接收器的距离小于几个波长）到接收器。如果干扰信号的频率是低于30兆赫，它通过内部主连接器耦合;如果超过30兆赫，耦合的方式连接器和电缆的辐射泄漏;如果超过300兆赫，耦合通路辐射缝隙和主板。在许多情况下，干扰信号是一个宽带信号，它包括所有的联接上述情况。

2、3 EMI表征

电子系统设计方面都应在三个电磁干扰问题进行考虑：首先，产生的干扰的程度和所发射的电子系统;接着在1〜10 V的强度的电子系统/ M的电磁场3米免疫特性的距离;电子系统内的第三干涉。

3个使用具有EMI需要与FAT-ID概念相关联的干扰的问题分析的元素。 FAT-ID是一个缩写为五个关键因素来描述任何EMI问题固有特性，五个关键参数是频率，振幅，时间，阻抗和距离。事实上，信号的响应时间包含了所有的信息干扰的光谱响应。

在数字系统中，信号的上升时间和脉冲重复率可产生频谱分量是根据下面的公式计算：FAT-ID当施加到电子系统

，EMI辐射成为信号的上升时间和脉冲重复率二次函数。在

EMI分析的另一重要参数是大小，电线和电缆护套，这是因为，当一个关键因素EMI，电缆或等同的发送天线的干扰，必须考虑的是，屏蔽问题的物理长度。在系统内

内部干扰是高速数字线路和模拟线路到其它数字电路中，电源噪声污染或模拟/数字电路敏感的影响。典型地，所产生的数字和模拟电路之间，或驱动器和数字线内部的干扰。

2、3 RFI无线电发射源表征

现实生活中是极其丰富，如广播，电视，移动通信，计算机，电动机，锤等，不胜枚举。所有这些活动将影响电子

电子系统的性能。无论RFI的强度和位置，电子系统必须有一个最低RFI免疫力。在通信，无线电工程，免疫力被定义为装置的灵敏度承受每RFI的单位的功率密度。在大多数

RFI分析，电场强度描述RFI激励，即

其中E是电场强度（伏/米）; PT是发送功率（毫瓦/平方厘米）。

从“干扰源 - 耦合路径 - 接收机”的观点，所述电场强度E是发射功率，该距离的天线增益和天

功能，即

2其中GA是天线增益; d是从干扰源的距离（米）的电路或系统。

由于模拟电路通常以高增益工作，RF场比的数字电路更敏感，因此，必须解决μVmV级和信号电平;对于数字电路，因为它有一个大的信号摆幅和噪声容限，所以RF场的抑制力更强。 RF场可以通过电感/电容耦合所产生的噪声电压或噪声电流。无源元件的特性。 3

EMI / RFI环境

合理使用可以降低无源元件EMI / RFI电路或应对干扰的主要工具系统设计者的效果 - 免费，我们充分了解源元素，特别是其非 - 理想的效果。图2示出了在电路无源部件的非理想特性。

可以看出，在高频率，将电线插入该反射线，该电容变为电感电感电容变，谐振电路变为电阻性的。在低频时，具有低电阻（<0、0656Ω/ m）的金属丝，但大约0、079的寄生电感nH的/米，当频率大于13千赫，电感变得，由于非电感可控性，它最终成为发射线。已知的天线理论，无端接传输线到具有增益的天线。

。 4低通滤波器来抑制EMI / RFI应用

低通滤波器是一个长期已知的纯化技术的干扰被使用，它具有对共模和差模噪声较强的抑制作用。图3的电路可用于防止由EM场和RF场干扰的模拟电路。

可以看出，耦合路径干扰信号输入端，一个信号输出和电源的三个点，所以使用高频陶瓷电容器0、1μF解耦所有电源端子的;使用的截止频率以上的信号的低通滤波器的带宽为10〜100倍过滤所有的信号线的。

低通滤波器必须也能保证有效的最高预期的频带，因为实际的低通滤波器的泄漏现象发生在高频，如图。这是由于由电感的效率造成引起效率损失的损失，电容寄生电感的寄生电容。对于低通滤波器（电感器，电容器）中，当输入信号的频率低于滤波器的截止频率更高的100到1000倍时，发生渗漏现象。出于这个原因，一般不采用一个低通滤波器，但被划分为低频带，中频带，和高频带滤波器和每个频带单独提供的，如示于图

图5、为10kHz〜1MHz的低频带宽; IF带宽; 5电源线EMI / RFI抑制对策;电源线EMI / RFI引起的瞬态电压，因此; （1）引入到电源端功率加上混合瞬态保护网络;如图所示，气体放电管和电源的齐纳二极管6、以提供差分模式; （2）使用的隔离变压器; （3）除了整流和电压施加到电源输出端的低频滤波器具有大的电容; C =ΔIΔl/量Δu; ΔI--其中所述电流纹波峰值功率; Δl-

图5、10千赫的低频带宽〜1兆赫; IF 1兆赫〜100兆赫的带宽; 100兆赫〜1GHz的高频带宽。在低通滤波器，如果有任何地阻抗，其中噪声成为高频率的旁路路径，因此，它应该是宽带滤波器以及连接到一个点或一个低阻抗接地层，以优化的过滤性能。高频电容器引脚尽可能短，优选在低电感的表面贴装陶瓷电容器。

电源线。 5 EMI / RFI抑制对策

电源线EMI / RFI引起的瞬态电压，从而抑制这种干扰对策主要是为了提高系统电路或电压瞬态的适应性。分析证明了如下措施，以提高电源的抗干扰能力是有效的。

（1）在引入端功率加上混合功率瞬态保护网络。在图6中所示

，气体放电管和电源的齐纳二极管提供差分和共模的保护，同时要求不高，金属氧化物变阻器可被用来代替齐纳二极管。用于吸收浪涌电流一种扼流线圈。

（2）使用所述隔离变压器。变压器免受瞬态电压低于300ns的更大很好的保护作用。它应该在具体应用，可以注意到，变压器，保护模式不同的配置不同的连接。通常由四种方式：1）使用标准的未屏蔽的变压器，次级牢固地连接到消除中性点和地之间的压力差; 2）单层变压器法拉第屏蔽，屏蔽和共模保护安全地连接; 3使用单个法拉第屏蔽变压器初级和中性线连接，以实现差动模式保护）; 4）法拉第三层屏蔽变压器可以实现差分，共模的保护，并消除中性点和安全地之间的压力差。

（3）在电源整流器和调节器的输出除被添加到大电容的低频滤波外，然后将低容量应该是无电感的高频滤波电容。容量：

C =峰值ΔIΔl/量Δu

其中ΔI--供给电流的波动; Δl--脉动电流宽度; Δu--电源电压的波动的容许值。

（4）具有电源线，以便在所述模块连接端子形成每个电路的闭环，否则，当对应于打开

功率无线终端，高频干扰将被全反射，并且该干扰信号相乘。

（5）尽可能在电源线和电源线为低阻抗接地的接地线，以减少电源噪声。最好使用双绞线饲料。如何

。 6 PCB设计EMI / RFI保护铺设

印刷电路板的信号线时，系统会直接关系到电磁干扰和辐射敏感性的电磁能量，良好的PCB设计很可能导致系统的EMC失败。在高频率的噪音，其可以耦合PCB，辐射通过：电力线辐射，所述源阻抗耦合，在公共阻抗耦合，并且辐射串扰的I / O线。因此，在设计中，以下方面应在抑制EMI / RFI考虑。

（1）如果条件允许，尽可能使用该装置比实际速度的要求低。因为，器件的更高速度，更严重的EMI问题。对于纳秒设备，因为它们具有宽的带宽，采样时钟和输入的任何形式的高频噪声将响应。对于这样的高速装置中，可以是具有在其I / O端子，以降低灵敏度EMI / RFI环境的过滤器的小的铁氧体磁心的电感器。如果双极性电源，应该是在正和负电源线被添加到铁氧体磁芯电感器。

（2）设计合理的电源层，接地层和信号层。 PCB布局应该是一个好关键的模拟信号路径中分离高频源，该数字/模拟高频部分和低的部分彼此分开。多层基板，可以降低EMI辐射和抗RF场比双面10倍或更多的增加。多层安排更好装配到电源层和接地层之间的信号线，这种设计的优点是，一个低阻抗，低辐射，低串扰能够比50MHz的辐射和串扰，但板的含量减少更少量去耦到嵌入式测试信号线困难和限制访问的。特性线

在迹线阻抗（3）印刷电路板。为了防止反射，PCB走线的阻抗的所需要的特性应满足单向传输延迟时间比半的信号的上升/下降时间等于或更大。为此，二英寸/ ns的一般准则应予采纳。表3显示了传统的数字逻辑基于图案2英寸/纳秒长度准则。 2英寸/ ns的原则也适用于痕迹模拟电路设计。对于

绝缘材料层和一功率特性信号/线隔离层PCB板可用

计算的阻抗：其中

εr为PCB材料的介电常数; d是每个层（密耳）的厚度; w是宽度（密耳）;吨

的线厚度（密耳）。的信号迹线层的

方式发送时间由下式确定：

例如：一个标准的4层印刷电路板，通常利用0、021〃FR-4（介电常数εr= 4、7）型绝缘材料

分离材料，使用8MIL宽，铜迹线的1、4密耳的层，88Ω的特性阻抗，所述的1、7纳秒/英尺单程传输时间。

总之，在PCB设计，并根据实际情况可以更大，信号线陆线填补了国内空白。使用平行线电源和地，倾向于降低电感。

。 7

屏蔽技术防止外部EMI屏蔽效应/ RFI电路或系统，但以正确的应用程序掩蔽技术，有必要清除干扰源，环境之间的距离，与所述干扰源对象的干扰等。问题。如果电路或干扰源附近的系统，这取决于干扰源的电磁特性;如果来自干扰源，这取决于传输介质的电磁特性的电路。当该距离小于所述干扰源电路和所述λ/2π（λ是干扰信号的波长）时，电路被认为是接近干扰源，或来自干扰源。有关其特性阻抗

EMI / RFI的影响电路，电磁场的特性阻抗（声阻抗）取决于电场和磁场的比率。对于远场，这是空气的电磁波阻抗的比率（Z =377Ω）;用于近场，取决于干扰波阻抗和从干扰源的距离的固有性质，如果干扰是低电压大电流，磁场占优势的波阻抗是小于377、如果干扰是低 - 电流高电压，电场起主要作用，波阻抗小于377Ω更大。通常闭合的屏蔽导体电路，屏蔽材料的闭合回路导体屏蔽效能取决于内屏蔽

波吸收损失的反射损失和发射的入射表面上。对于电场，频率与反射损耗取决于干扰屏蔽材料，即

适合的封闭屏蔽限制内部干扰和外部干扰是非常有效的防止，但是，在实际工程中，由于在内部调节旋钮电路，开关，连接器和通风大感的原因，常常需要在屏蔽的开口槽，这将削弱屏蔽性能，原因进入系统内部的干扰。在这种情况下屏蔽效能是：屏蔽效能

其中λ是所述干扰信号的波长; L是所述槽的最大长度。当

蔑视满足当屏蔽体槽孔感等于频率干扰，辐射最大值，相当于没有屏蔽效应的半波长的最大长度。为此，在屏蔽槽开口，最大长度小于所述干扰信号的波长的1/20、可以在多个在面而不是平面的开口槽的同时打开。 8、结论

在日益复杂的电磁环境，如何减少彼此之间的电磁干扰，使各种设备和系统的可以正常工作，是一个严重的问题。当仔细地使用不同的方法来EMI / RFI抑制，应该分析他们的组合效应，干扰抑制装置，并用于适当地估计效果，以便获得更好的结果。

9个参考

1范围H W奥特。噪声Rection技术在电子Sys系统，电信设备制造商。第二Editiong。纽约，John Wiley和Sons公司，1988年2

一种富。干涉型噪声。 ANA-日志对话，1982,16（3）：16〜19

3一种富。屏蔽和防护。模拟对话，1983,17（1）：8〜13

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