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晶片电阻代理

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发表于 2020-8-19 21:56:08 | 显示全部楼层 |阅读模式

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贴片电阻代理:昆山工厂,使芯片电阻

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电阻的制造方法,可分为薄膜工艺和厚膜工艺,该工艺流晶片电阻代理

在图1中示出厚:厚膜电阻器,厚胶的整个制造过程(胶包括电阻器和导电性粘接剂)材料是一个关键的技术,即,因为它决定着性能特性电阻。电阻的口香糖组合物被选择基于的RuO2低温度系数和高的玻璃组合物混合的支撑元件(载体)且其由导电性膏的成分也相似,但使用低电阻率的Ag系的RuO 2、在图2中所示晶片电阻151是多少。

厚胶的制造工艺:在使用中的性能,因为功率消耗以产生热,与所述电阻体包括本身的温度上升沿。因此,电阻的温度系数(电阻温度系数,TCR)已成为电阻的稳定性的最重要的指标之一、如下电阻温度系数的计算:TCR低,较小的随温度的变化表示的电阻,更稳定的电阻值,TCR的厚膜材料是约200〜300ppm的/ K之间(铜约4000ppm的/ K)。由于厚的塑料玻璃必须含有某些成分,因此不容易控制TCR,厚膜电阻器的电流特性具有相当大的固定的,不能有任何改进显著室。相反,使用的半导体薄膜电阻器在原则上是,物理气相沉积技术(物理气相沉积,PVD),包括溅射(溅射沉积),蒸发(防蒸发沉积),等等,在氧化铝中的电阻材料涂覆上基板,选择变得非常灵活的材料,通常使用镍铬,镍铜,氮化钽...和其他材料。由于该材料的膜不是可用于处理其它混合的杂质,如玻璃,它可被控制以便TCR为50ppm / K或更小,甚至接近0ppm的/ K。另外,由于该电阻器可以利用光刻法(光刻)的方式不同的生产线模式(图案),和直径控制是非常准确的,并且因此,可以由大范围的电阻,并且在某些屏障范围可以实现微调电阻豁免甚至激光切割工序。在图3所示的制造工序流程图的薄层电阻:使用半导体器件类似评级产生的薄膜电阻器,一个厚的膜可能不具有许多在成品中的优势和特点,但由于成本仍高,因此没有被广泛使用。贴片电阻市场复杂,目前仍然占绝大多数的厚膜电阻。由于最新的联机溅射自动显著降低设备成本,加上改进的光刻工艺中,在成本1〜2年的薄层电阻将被更接近厚膜电阻减小到一个电平。 晶片电阻字码表。

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