RF晶体管交易

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电流增益频率f和第三至第五晶体管HBT三到五个相关。报告显示，2003年是从制造和每10K统计两个单位供应样品出来的第一年。后者的实例是从收发器进化差为零或由获得的中间底部结构导致非常低的转化。对于GSM网络的应用是零IF的结构，即主和更强大的数字信号处理[6]。因此，高速数字电路规模至少一个显著的作用，在这方面发挥的作用。虽然例子说明RF技术演进。还应当注意的是，使用数字编码技术的无线无线电线路或无线电频率的前端到无线传输协议的模拟物理层比模拟技术更有效。竞争有颁发数字组边界，RF成本，以及模拟信号处理技术的性能提供了灵活性给出合理。 [5]由最佳执行电路设计增强。几年前，只是讨论所有的基本电路技术。因为它是现在这样强烈地强调对比当时正在演进的无线系统的科技进步和市场渗透将是不可想象的。在下一节中，我们将讨论有源射频器件，然后是第三无源器件的性能。第四专门处理射频功率放大器。适于在2005年和2003 - - 2009有源CMOS技术节点的收发器 - SiGeHBT CMOS和双极硅器件已经被设计成接受一个收发器特性从1到10 GHz频带，从90年代初期结合。低成本优势和综合功能，硅CMOS射频BiCMOS工艺技术选择的对讲机，如果RF系统设计目标，可以在比较竞争力的技术来实现不断提高团结在过去的15年。二载电流增益频率锗硅异质结双极晶体管。直到最近，研究（HBT）是CMOS，磷化铟的HBT，砷化镓高电子迁移率晶体管（晶体管）[7] - 。 [23] CMOS的硅/锗异质结晶体管晶体管仅在性能方面的突破。但现在他们已经采取了超过400 GHz的电路SiGeHBT电流增益。然而，这需要一个10纳米电路所需的规格，只能在SiGeHBT在100nm左右的特征区域进行到达唯一的专业。前三至第五HEMT [10]，[20]具有更高的相媲美。容易使硅/ CMOS晶体管和集成电路的SiGe异质结晶体管数字结合功能已经并继续使用射频半导体元件如下价格和收发器价格较低，并提高带宽期间逐渐增加的能力是成本激励，CMOS技术无线通信，经常在电缆系统为代价解决相对于晶片的处理CMOS和BiCMOS工艺技术的价格[24]的总成本低，方便的优点。在生产用于锗COMS BiCMOS工艺成本更低的性能可以达到CMOS的几何形状，射频电路设计的较低的性能。主电感器，电容器，接口可降低成本，成熟SiGeBiCMOS过程约20％或更多的晶片的要求，以形成晶体管。虽然与硅片价格和相关费用，但价格仍反映竞争环境和敏感的需求，同时依托开发和制造未来的SoC（的SOCS）的成本可能已经安排了许多的数码功能，带数字大致相结合RF收发器，它可以降低价格cmosmay在制度层面解决了更加先进的光刻节点。定价是CMOS RF至数字CMOS，其中一个固定节点降低密切相关的材料技术，年尽管比每个双极CMOS有源背景[25]的更低的缺陷密度，但只用于生产大量模具的SOCS。负责陷阱和存储器例如很重要的问题效应电热反应，射频器件的发展是非常重要的。最后，市场可能取决于与设计验证和重用，或青睐的一种的BiCMOS或CMOS解决方案的差异启用现有的CMOS和BiCMOS工艺技术，能够满足技术要求。虽然CMOS已采取延迟成功地执行的产品设计时，[26]是指创意设计技术使显著噪声可以绕过障碍CJ164-2002收发器和其它因素，[6]，[27]。最近的工作预计到6GHz基于频率的应用240个纳米130个纳米，分别为60千条兆赫的CMOS设计规则，[28] CMOS RF广泛的分析[29] - [38]通过不断改进已CMOS的优点综合参数有效，成本低从职业。数码电子产品的主导地位的市场与业绩挂钩稳步提高CMOS数字的RF性能，通过改进和创新[30]结构[39] - [46]由于成本的超常规发展，并开始创建轻新节点。类似于数字CMOS刻，RF CMOS器件结构。转换将被限制在注重提高特征独特和显著RF性能极限。由于大多数数字系统需要模拟电路功能和低成本是重要的，以支持RF设计过程的增量调整可以是诸如电感器，在被动临界分子但是在有限的范围内是线性电容，由于实施例需要精密仪器RF设计模型[47 ]，[48]，[49]具体的特征RF - 。 [51]，精确的电路设计中，通常在所述第一组的数字和RF产品首次引入将间的一些延迟的数字行程是最合适的长度和RF产品延迟推出RF产品的需要了解更多关于低操作功率（潜），高速存取（）可能需要RF设计容量，高速串行通信。虽然比（LSTP）由于大胆沟道长度尺度上的下行链路和垂直共延迟逻辑低待机功率器件，大多数移动无线电应用要求的能力。流动性意味着该电池功率消耗,,因为它可能会降低的活性时间和待机时间的比例，所以LSTP最合适的路由。但越早数字分析，可以使更广泛的下行链路性能取代模拟电路和数字电路的学习。模拟功能。 LSTP高电压电源提供装置趋向于减少噪声射频电路设计。随着技术水平，越来越多的公倍数阈氧化物厚度。所有下行常见的共同特点，过程LSTP正逻辑电源，备用电源的性能之间的主要差异。设计以释放在数字CMOS器件性能实现RF无线收发器是成比例的最低水平[52]，[53]，其中的高频电流的电流增益是有效的，在整个交易报告2003 [1]的栅电容计算出的数目，从LTSP途径[52]装置具有以下特征：它是光刻节点的宽度的21倍;其最小栅长;和外部的寄生电容，该方法包括，对应于电容器的附加栅极节点光刻的电容是宽显示2003的结果和报告报告数据模型[23]的交易，[24]，[40]，[43]， [45]，[54] - [62]。增加和减少的直接后果是，为了改变几何尺寸和几何尺度的传统组合20nm或更小减缓改善流动性。这种变化在数字表示预定的上升趋势。尽管减缓由于几何形状和隧道栅极绝缘体阈值电流[63]的限制，尽管近期推出加强运动技能应变[64] - [66]，[67]晶片取向，[68]该方法和方法的结果率的要求，但是，应变[69]和高介电常数栅极电介质[70]，噪声可能会导致更多的关注仍然需要额外的频率假设是有效对抗的栅极源极电阻，栅极 - 。漏极电容，电导栅极，漏极电容器将假定所述第三区域，所述门的边缘电容加上电容损失。抗源从数字CMOS取自抵靠门计算出的有效电阻行进而假定栅格板的是，接触电阻是其中栅宽度栅极接触加倍的有效方法[71]（6），还原因子取决于技术和布局。 2003相对于显示的路线。用于示例性报告显示电路2003的频率数据，打它自己的减小到低于45nm的那些需要增加的趋势继续下去，这是很重要的影响的是相对于固定板的栅电极的尺寸和电阻。假定取代超出45纳米节点的金属栅极电极的多晶硅。 2003电路设计，并不能计算出它自己的利益。为什么这个前提是困难的原因实现的，因为所述栅极绝缘体的厚度和长度的增加[63]。这些趋势将二者的结构和CMOS数字调制极大地影响由于变得越来越重要阈值[72]和RF性能的修改和优化过程[24]，[61]，[73]，[74]，以逐渐提高这些趋势，在这个过程中和电流驱动器，由于额外的成本妥协的步骤。图5示出充斥着的假设DS是长信道的阈值低的阈值的偏转和数字偏转行进记录损耗之间的差的50％。最后，这些额外的损失降低到25％，由路线计算本征器件参数。所产生的交易报告，发现高于2003年，并且电路的2001年报告是一样的。最近的数据表明：减少的功率对某些频率有很大的影响，通常用10倍的中心频率范围相关联，所述最大比例计算饱和电流路标从下面的附图和频率算法之间的经验关系（7）中进行选择。从参考5GHz的函数[40]，[43]，[45]，[61]，[62]，[76]的几个最小噪声系数数据，[77]，[79]，[80]已经证明。的实心圆点6、这些表明一种趋势，一个标准模型，红色线表示短沟道器件[75] - [78]对于上述情况中，所报告[40]，[43中的信息。 ]，[45]，[61]，[62]，[76]，[77]，[79]，[80]在频率比最低噪声系数6、 12003的电路设计，模型，数据报告为5000兆赫，我们得出结论，这些回至5GHz。但很多在测量数据这些差异，因为：1）有足够的证据难以克服相关应用，诸如频率culty参数数据中去嵌入2）意味着很多低频阻抗测试的，3）布局[81]反射和的微波或毫米波的事件参数的反射透射系数。报告公布的2003因子值的实线。由于因子可以抵消偏转电流来降低显著由于栅极结构和降低偏转衍生[79]。作为RF噪声增加，栅极氧化物漏电流增加2）由饱和电场[83]增加的阻力，以在基板[82]，3），一个更高的速度。应对射频噪声的问题是电路2003年的报告反映出来。在0、2dB数字噪声限值最小值。噪声的定义的频率转折频率幅度相同幅度噪声。因此，给定的转角频率噪声边界时间的重要性，特别是线性电路位于邻近A-10的设备类型的长度的最低信道编号的拐角频率。即使假设接口技术将很快在90 MHz的纳米技术可用，高频率的转角频率将继续增加。从我们的用于特定子RF应用，这可能是有争议的小信号噪声分析模型行为简单的近似，将继续在电路部的双极晶体管部分的噪声敏感特性增加。尽管有这些小缺点，提高了RF CMOS器件，从而使整合的复杂数字RF设计特点。比可比较的CMOS BiCMOS工艺的光刻节点的成本熟化步骤降低。因此，应用程序将被执行，只要技术上可行，射频，重新设计成本的商业化，降低生产成本。

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输入信号。随后，该信号是由一个顺序电路，然后放大到模拟到数字转换器的输入电平的剩余侧接收在数字域中的信号处理最好是通常的数字信号处理和模拟 - 数字转换器本文所讨论的是超过上述常采用数字广播技术在数字CMOS工艺基于CMOS工艺的进行和结果技术。在发射机方面，从数字所述第一无线电频率到模拟转换器（DAC），其从所述混频器的载波频率转换成模拟信号。本文引用到VCO载波的相位和频率。最后一个转换功效放大器，通过滤波信号，从而提供从所述天线的高功率发送信号。此标记在主键存在的收发器电路结构中列出的块。他们到收发器的性能最关键的。关系电路器件性能等，以产生在下面本节中讨论的简短。我们依然会在这部分显示了一个简化电路读者了解一些基本的定理，以优化电路，并与设备。此外，这些装置简化确定的主要参数，以及RF电路设计的重要性。

低噪声放大器的关键性能的问题是要发送的信号失真需求，以获得进一步的放大。大量的噪音或失真加噪声的信号处理单元是一个噪声因子（因数）的三阶输入截点（IIP3）是由许多不同的应用程序，以及其他许多噪声放大器载波频带全球移动通信系统（ GSM）增强或extendedgsm低（EGSM），码分多址（CDMA系统），widebandcdma（WCDMA系统），全球定位系统（GPS），蓝牙无线局域网，饰品。一些情况下移位，操作带宽[如超局域网（宽带）]影响性能噪声放大器和功率消耗被确定为低噪声放大器电路和相关联的设备的参数因子，并分别获得：一个低噪声放大器的电源电压，天线或传输线的噪声输入噪声控制阻抗，因此，独立的装置的最：噪声放大器性能取决于热噪声和晶体管的增益。对于低噪声放大器的输出电阻决定性三个因素的阻抗匹配网络：1），和负载输入阻抗（电阻和/或抗）2）的被动反应时间质量，3），用于放大的输出电导晶体管中的低噪声放大器。它获得跨导放大器是很重要的。有几种可能的措施，可以提高低噪声放大器电路设计性能，但是根据最后权衡质量，成本电路权衡电路的各个方面，由设备制造。这是典型的讨论RF电路基础的所有。所述VCO是一个锁相环（PLL），集成电路外界同步通信的一个关键部分。必要减少在频率从载波频率偏移波形的相位抖动或噪声测量的功率谱密度，输出功率的总量是定义VCO [5]的备忘录。本备忘录估计VCO性能并给予了备忘录（2）中，温度是，VCO的品质因数框证明电路。虽然此定义被忽略，而VCO的频率调谐范围，其为10GHz的可接受的频率之下。由噪声和VCO相位噪声的有源和无源部件的热噪声的影响。 VCO的载波频率的这些组件是成比例的更高的热偏移的倒数。活性成分的噪声的VCO也是重要的，当接近载波频率[5]所述的功率放大器必须提供所需要的传输天线信息的发送功率在所述芯片，以减少右信道和相邻带内失真，至少在一定的频率和输出直流电源的功率要求，尤其是对于电池供电的应用。由于曲线强烈依赖放大控制层，所以难以比较不同水平的放大器只能估计输出功率可达并给出一定的频率。 （3）如果通过在母亲的各自的半导体材料的雪崩饱和速度的电场，射频输出高阻抗电容性装置的性能，负载阻抗必须严格限制在半导体材料的右侧（3）选择取决于参数，这意味着其它重要参数，如电源线，这取决于线性线性障碍和性能来选择放大器拓扑的效率给出的控制和调节的很大。即，不同的通信标准具有不同的要求，甚至晶体管的障碍，并且可以被包含在相同的频带。重要的设备参数，诸如质量，线性无源器件有源部件将在更详细的第二和第三节因为距离，数据速率，所需的灵敏度量化的扩展，输出最功率无线收发器的规格规定标准化机构中，无线地讨论剩余的游离在特定频率和噪声电平来决定的，通过将收发信机框图1）成本2）电），在规格制造3种不同的贡献，消费电力，噪声，边缘噪声，线性度，动态范围竞争的收发信机的设计参数，带宽必须不同对象折衷器件性能参数之间的收发信机之间进行为好。第一章介绍，SiGeHBT的CMOS 晶体管电路。

电流增益频率f和第三至第五晶体管HBT三到五个相关。报告显示，2003年是从制造和每10K统计两个单位供应样品出来的第一年。后者的实例是从收发器进化差为零或由获得的中间底部结构导致非常低的转化。对于GSM网络的应用是零IF的结构，即主和更强大的数字信号处理[6]。因此，高速数字电路规模至少一个显著的作用，在这方面发挥的作用。虽然例子说明RF技术演进。还应当注意的是，使用数字编码技术的无线无线电线路或无线电频率的前端到无线传输协议的模拟物理层比模拟技术更有效。竞争有颁发数字组边界，RF成本，以及模拟信号处理技术的性能提供了灵活性给出合理。 [5]由最佳执行电路设计增强。几年前，只是讨论所有的基本电路技术。因为它是现在这样强烈地强调对比当时正在演进的无线系统的科技进步和市场渗透将是不可想象的。在下一节中，我们将讨论有源射频器件，然后是第三无源器件的性能。第四专门处理射频功率放大器。适于在2005年和2003 - - 2009有源CMOS技术节点的收发器 - SiGeHBT CMOS和双极硅器件已经被设计成接受一个收发器特性从1到10 GHz频带，从90年代初期结合。低成本优势和综合功能，硅CMOS射频BiCMOS工艺技术选择的对讲机，如果RF系统设计目标，可以在比较竞争力的技术来实现不断提高团结在过去的15年。二载电流增益频率锗硅异质结双极晶体管。直到最近，研究（HBT）是CMOS，磷化铟的HBT，砷化镓高电子迁移率晶体管（晶体管）[7] - 。 [23] CMOS的硅/锗异质结晶体管晶体管仅在性能方面的突破。但现在他们已经采取了超过400 GHz的电路SiGeHBT电流增益。然而，这需要一个10纳米电路所需的规格，只能在SiGeHBT在100nm左右的特征区域进行到达唯一的专业。前三至第五HEMT [10]，[20]具有更高的相媲美。容易使硅/ CMOS晶体管和集成电路的SiGe异质结晶体管数字结合功能已经并继续使用射频半导体元件如下价格和收发器价格较低，并提高带宽期间逐渐增加的能力是成本激励，CMOS技术无线通信，经常在电缆系统为代价解决相对于晶片的处理CMOS和BiCMOS工艺技术的价格[24]的总成本低，方便的优点。在生产用于锗COMS BiCMOS工艺成本更低的性能可以达到CMOS的几何形状，射频电路设计的较低的性能。主电感器，电容器，接口可降低成本，成熟SiGeBiCMOS过程约20％或更多的晶片的要求，以形成晶体管。虽然与硅片价格和相关费用，但价格仍反映竞争环境和敏感的需求，同时依托开发和制造未来的SoC（的SOCS）的成本可能已经安排了许多的数码功能，带数字大致相结合RF收发器，它可以降低价格cmosmay在制度层面解决了更加先进的光刻节点。定价是CMOS RF至数字CMOS，其中一个固定节点降低密切相关的材料技术，年尽管比每个双极CMOS有源背景[25]的更低的缺陷密度，但只用于生产大量模具的SOCS。负责陷阱和存储器例如很重要的问题效应电热反应，射频器件的发展是非常重要的。最后，市场可能取决于与设计验证和重用，或青睐的一种的BiCMOS或CMOS解决方案的差异启用现有的CMOS和BiCMOS工艺技术，能够满足技术要求。虽然CMOS已采取延迟成功地执行的产品设计时，[26]是指创意设计技术使显著噪声可以绕过障碍CJ164-2002收发器和其它因素，[6]，[27]。最近的工作预计到6GHz基于频率的应用240个纳米130个纳米，分别为60千条兆赫的CMOS设计规则，[28] CMOS RF广泛的分析[29] - [38]通过不断改进已CMOS的优点综合参数有效，成本低从职业。数码电子产品的主导地位的市场与业绩挂钩稳步提高CMOS数字的RF性能，通过改进和创新[30]结构[39] - [46]由于成本的超常规发展，并开始创建轻新节点。类似于数字CMOS刻，RF CMOS器件结构。转换将被限制在注重提高特征独特和显著RF性能极限。由于大多数数字系统需要模拟电路功能和低成本是重要的，以支持RF设计过程的增量调整可以是诸如电感器，在被动临界分子但是在有限的范围内是线性电容，由于实施例需要精密仪器RF设计模型[47 ]，[48]，[49]具体的特征RF - 。 [51]，精确的电路设计中，通常在所述第一组的数字和RF产品首次引入将间的一些延迟的数字行程是最合适的长度和RF产品延迟推出RF产品的需要了解更多关于低操作功率（潜），高速存取（）可能需要RF设计容量，高速串行通信。虽然比（LSTP）由于大胆沟道长度尺度上的下行链路和垂直共延迟逻辑低待机功率器件，大多数移动无线电应用要求的能力。流动性意味着该电池功率消耗,,因为它可能会降低的活性时间和待机时间的比例，所以LSTP最合适的路由。但越早数字分析，可以使更广泛的下行链路性能取代模拟电路和数字电路的学习。模拟功能。 LSTP高电压电源提供装置趋向于减少噪声射频电路设计。随着技术水平，越来越多的公倍数阈氧化物厚度。所有下行常见的共同特点，过程LSTP正逻辑电源，备用电源的性能之间的主要差异。设计以释放在数字CMOS器件性能实现RF无线收发器是成比例的最低水平[52]，[53]，其中的高频电流的电流增益是有效的，在整个交易报告2003 [1]的栅电容计算出的数目，从LTSP途径[52]装置具有以下特征：它是光刻节点的宽度的21倍;其最小栅长;和外部的寄生电容，该方法包括，对应于电容器的附加栅极节点光刻的电容是宽显示2003的结果和报告报告数据模型[23]的交易，[24]，[40]，[43]， [45]，[54] - [62]。增加和减少的直接后果是，为了改变几何尺寸和几何尺度的传统组合20nm或更小减缓改善流动性。这种变化在数字表示预定的上升趋势。尽管减缓由于几何形状和隧道栅极绝缘体阈值电流[63]的限制，尽管近期推出加强运动技能应变[64] - [66]，[67]晶片取向，[68]该方法和方法的结果率的要求，但是，应变[69]和高介电常数栅极电介质[70]，噪声可能会导致更多的关注仍然需要额外的频率假设是有效对抗的栅极源极电阻，栅极 - 。漏极电容，电导栅极，漏极电容器将假定所述第三区域，所述门的边缘电容加上电容损失。抗源从数字CMOS取自抵靠门计算出的有效电阻行进而假定栅格板的是，接触电阻是其中栅宽度栅极接触加倍的有效方法[71]（6），还原因子取决于技术和布局。 2003相对于显示的路线。用于示例性报告显示电路2003的频率数据，打它自己的减小到低于45nm的那些需要增加的趋势继续下去，这是很重要的影响的是相对于固定板的栅电极的尺寸和电阻。假定取代超出45纳米节点的金属栅极电极的多晶硅。 2003电路设计，并不能计算出它自己的利益。为什么这个前提是困难的原因实现的，因为所述栅极绝缘体的厚度和长度的增加[63]。这些趋势将二者的结构和CMOS数字调制极大地影响由于变得越来越重要阈值[72]和RF性能的修改和优化过程[24]，[61]，[73]，[74]，以逐渐提高这些趋势，在这个过程中和电流驱动器，由于额外的成本妥协的步骤。图5示出充斥着的假设DS是长信道的阈值低的阈值的偏转和数字偏转行进记录损耗之间的差的50％。最后，这些额外的损失降低到25％，由路线计算本征器件参数。所产生的交易报告，发现高于2003年，并且电路的2001年报告是一样的。最近的数据表明：减少的功率对某些频率有很大的影响，通常用10倍的中心频率范围相关联，所述最大比例计算饱和电流路标从下面的附图和频率算法之间的经验关系（7）中进行选择。从参考5GHz的函数[40]，[43]，[45]，[61]，[62]，[76]的几个最小噪声系数数据，[77]，[79]，[80]已经证明。的实心圆点6、这些表明一种趋势，一个标准模型，红色线表示短沟道器件[75] - [78]对于上述情况中，所报告[40]，[43中的信息。 ]，[45]，[61]，[62]，[76]，[77]，[79]，[80]在频率比最低噪声系数6、 12003的电路设计，模型，数据报告为5000兆赫，我们得出结论，这些回至5GHz。但很多在测量数据这些差异，因为：1）有足够的证据难以克服相关应用，诸如频率culty参数数据中去嵌入2）意味着很多低频阻抗测试的，3）布局[81]反射和的微波或毫米波的事件参数的反射透射系数。报告公布的2003因子值的实线。由于因子可以抵消偏转电流来降低显著由于栅极结构和降低偏转衍生[79]。作为RF噪声增加，栅极氧化物漏电流增加2）由饱和电场[83]增加的阻力，以在基板[82]，3），一个更高的速度。应对射频噪声的问题是电路2003年的报告反映出来。在0、2dB数字噪声限值最小值。噪声的定义的频率转折频率幅度相同幅度噪声。因此，给定的转角频率噪声边界时间的重要性，特别是线性电路位于邻近A-10的设备类型的长度的最低信道编号的拐角频率。即使假设接口技术将很快在90 MHz的纳米技术可用，高频率的转角频率将继续增加。从我们的用于特定子RF应用，这可能是有争议的小信号噪声分析模型行为简单的近似，将继续在电路部的双极晶体管部分的噪声敏感特性增加。尽管有这些小缺点，提高了RF CMOS器件，从而使整合的复杂数字RF设计特点。比可比较的CMOS BiCMOS工艺的光刻节点的成本熟化步骤降低。因此，应用程序将被执行，只要技术上可行，射频，重新设计成本的商业化，降低生产成本。 电力晶体管。

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