2n7002功能

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那种你想被触发后不破（的情况下没有打破主电源）或然后会有一个延迟触发搜索列表有关的延迟是什么：它是如何工作2N7002延迟电路及外围电路设计
2N7002晶体管是N沟道

右低功率FET0、1安培60伏的，。为什么

2N7002漏极电压为5V，3、3V可以根据特定的行

特定子倍做到这一点。什么

2N7002管2n7002导通电压是多少。

描述：晶体管极性：N沟道

漏极电流，编号最大：280毫安

电压，Vds的最大值：60V N2007场管。

导通电阻，RDS（ON）：5ohm

@的Rds测量电压：10V 2n7002使用。

电压，最大的Vgs：2、1V

功率：0、2W 2n7002代换型号。

工作温度范围：150 -55to 2n7002代换。2n7002功能

封装类型：SOT-23 2n7002参数。

引脚： 3

SVHC（感兴趣的物质的温度）：二氯化钴（18君-2010）

SMD标号：702

功率，PD：0、2W IRLL2705。

外宽度：3、05毫米

外部深度：2、5毫米

外部长度/高度：1、12毫米

封装类型：SOT-23

胶带宽度：1个2N7002。

型晶体管：：8毫米

晶体管数MOSFET

@电流测量温度：25℃

满功率温度：25℃sh367004x aab的代换。

电压Vgs @ RDS（ON）测量：10V

电压，Vds的典型值：60V 2n7002中文资料。

电流，标识连续：0、115A

电流，IDM脉冲：0、8A

表面安装器件：表面安装在@ VGS = 10V 2n7002引脚图及功能。

导通状态电阻，导通电阻Rds：5ohm 2n7002应急代换。

接通状态重新sistance，RDS（ON）@ VGS = 4、5V：5、3ohm

阈值电压，第Vgs的典型值：2、1V

阈值电压，Vgs的个最高：2、5V

NMOSFET，N沟道增强型场效应晶体管。 2N7002K。

NMOS，sod23

包是最常用的贴片MOS晶体管

2N7002特征：2N7002 SMD板用什么多个

与-Channel 2N7002 N沟道增强型场效应晶体管N1增强型场效应晶体管

可替代2N7002

2N7002晶体管是N沟道场效应晶体管。参数为60V，280毫安。可替换地

模型：BS170F; ZVN3306F 2N7002E。

2N7002二极管续流

什么作用，防止在断开所使用的芯片损坏脉冲电子开关

2N7002 N沟道MOS晶体管，额定。目前，只有0、2A，没有已知的相对成熟的应用电路

看到这条赛道非常成熟。 R1建议连接的电阻低于等于R1和NCH系列，会很安全地使用。

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