1N4007规格

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如下1N4001和1N4007二极管差：50V的1N4007规格

1,1N4001高的反向击穿电压，高1N4007反向击穿电压1000V。

2、满足4007的基础上的最大反向电压可以被用来代替4001-4006

扩展数据

1、整流二极管1N4001二极管，操作和存储的-65〜175的温度℃。 IN4007可以更换，和差1N4001整流二极管IN4007像其余参数不仅反向电压是相同的，如下所示：

周期方向的最大峰值电压：50V

最大RMS电压：35V

最大直流阻断电压：50V

最大正向整流电流：1、0A

典型结电容：30pF的

操作和储存的温度范围：-65〜175℃

到在二极管参数休息：

1N4002峰反向电压为100V;

1N4003 200V的反向峰值电压;

1N4004 400V的反向峰值电压;

1N4005 600V的反向峰值电压;

1N4006反向峰值电压800V;

1N4007二极管安装封装体M7、M7是在那里的类的1206或0805之间的任何差异？具体尺寸是啥模样？

M7代表1N4007二极管，其没有被封装，包封各种各样的形式，如：DO-214AC等。 1206或0805是一个包，尺寸：in4007二极管规格书。

1206：3、2毫米*1、6毫米

0805：2、0毫米*1、2毫米fm4007二极管规格书。

IN4007二极管强正向浪涌容量。 30A;最大平均整流正向电流为1、0A;最大峰值反向电流为30uA;典型热阻为65℃/ W;限制参数VRM≥50V;最大反向漏电流是5UA;正向压降为1、0V;典型结电容为15pF;最高反向电压为1000V;工作温度-50℃〜+ 150℃。

1中，由p型半导体和n型半导体的p-n结界面形成烧结晶体二极管。在界面的两侧形成空间电荷层，电场构成的自我。根据其不同的用途，它可分为检波二极管，一个齐纳二极管，二极管开关，隔离二极管，肖特基二极管，硅功率开关二极管，二极管的旋转。 2124-4007。

2、当正向电压被外部偏压，抑制相互作用消除外部电场和自扩散的载流子由于增大到正向电流。

的接触的金属和半导体，由反向电压所形成的肖特基势垒的表面。肖特基整流效果PN结有原则有根本的区别。压力的程度只有约40V。因此，生产和低电压高电流开关二极管整流二极管。

如图3所示，发光二极管被广泛应用于光，光源，用于光纤通信，各种指示器和照明器械的各种电子产品。发光二极管

的主要特点是：安全，效率和环境保护，使用寿命长，响应速度快，体积小，结构牢固。

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