SI2302PDF

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SI2302PDF晶体管也可以代替带阻带阻晶体管的使用，通常使用的模型：KRA106S PNP，NPN KRC106S

虽然带阻晶体管具有长，但是当电话处于使用中，为了节省PCB布局和设备，但传统的设计，很少有看到，我没想到这几年已经开始使用。 2302。

对于晶体管，用小功率，例如SI2301、SI2302 MOS管，是不是在实际使用中非常令人满意的，主要是微功率MOS，容易燃烧，尤其是耐冲击性低电阻后弱

MOS管引导，容易瞬间大电流烧伤休克。最后理解的是灵活的硬件设计，也看到许多复杂的设计或三极管，所以看到的带阻晶体管认为其它电路中的MOS晶体管的带阻管代替。而相对于MOS晶体管，除了强烈的冲击，这两个电阻的周围需要不能简单地用。

MOS晶体管的工作原理

1N沟道增强型场效应晶体管原则si2302。

N沟道增强型MOS晶体管产生的P型半导体层上的SiO 2绝缘膜，以及两个扩散光刻高度掺杂的N-型区，从N型区（漏极d，源极S）引出的电极; 身份证2302开头是哪里。

电镀的金属，例如铝作为源极和漏极之间在SiO 2绝缘层上的栅电极G;称为P型半导体基片，表示由符号B.由于栅电极之间的其他和绝缘彼此时，NMOS也称为绝缘栅型场效应晶体管。当EU2302。

而不的栅极G和源极S，即，VGS = 0之间的任何电压，因为2的n +型区域的漏极和源极间隔P型衬底中，两个背靠背的等效连接的PN结它们之间了抵抗到1012、即d，不具有，S之间的导电通道，从而在泄漏方面，其中所施加的源极之间的电压的极性，漏极电流将不产生ID。

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