达林顿晶体管交易

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指的是单个输出晶体管是一个输出晶体管，所述电流放大系数β1、两个晶体管达林顿输出叠加，是电流放大因子β1*β2、因此达林顿放大电流输出用于驱动负载和强于单个晶体管。 达林顿晶体管。

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高倍放大晶体管，达林顿叫！两个晶体管被组合成的晶体管。

达灵顿达林顿管输出功率是够糟糕但

没有问题的输入和输出的问题是芯片坏了，直接改变，不考这条路

达灵顿的达林顿（达林顿）晶体管达林顿晶体管工作原理。

达林顿晶体管是两个npn晶体管（参照图1）的复合材料组合的一个晶体管;其中第一BJT（T1）是CC配置（射极跟随器）第二BJT（T2）是一个配置CE。在功能上，达林顿晶体管等效于一个事实，即它也N-P-N A CE的晶体管配置（相同极性的管T2）。因为T1

作为射极跟随器和所述发射极接地晶体管T2都具有大的电流增益，总电流增益更大的达林顿晶体管（T1和T2等于电流增益的乘积的总增益）。达林顿晶体管输入电阻由输入电阻器和T1的较高等效电阻的背面串联连接，所以晶体管达林顿输入电阻也高。因为具有大的电流增益，高输入电阻达林顿晶体管，所以它已被广泛地应用于IC中。 达林顿晶体管原理。

然而，达林顿晶体管也具有许多缺点。一个是低输出电阻（因为射极跟随器T1的输出电阻非常低，所以该复合管的输出电阻比单个晶体管低级）;另一种是非常小的跨导，因为它是输入电阻高，使得输入电压变化，输出电流是不可能的，因为在大的变化的发生;第三个是达林顿晶体管的差的频率特性，其中，T1是因为阻挡层的集电体的结电容是米勒电容器的缘故。第四、使用多晶体管的（两个晶体管用作晶体管的动作），即，在IC这增加了占用面积由芯片;然而，两个晶体管达林顿结构​​可以被放置在隔离（因为它们的集电极连接在一起，相同的电势），这对于集成是有利的。 达林顿晶体管的测试。

达林顿晶体管事务：一个达林顿晶体管阵列可以做更多的射极跟随器做什么？

可以与多个射极跟随器的一个达林顿晶体管阵列来进行，但也有两点要注意：

做达林顿晶体管一个射极跟随器中，输入电压的输出电压是超过两个的下PN结正向电压;

两个内部达林顿阵列电路类型的一些具体，例如ULN2002A，有齐纳7V的输入级二极管，第一晶体管的基极之间的端部（见下文）），因此，如果做达林顿射极跟随器输出电压将大于8V以上的总的输入电压低。

达林顿怎么用啊？原理？

电子，达林顿晶体管（也称为达林顿对）是结合两个双极型晶体管的方法。因此，第二晶体管可以进一步放大第二晶体管放大，节省空间的电流，并获得高增益（β或HFE）。市场一直在集成电路产品的形式，但在达林顿对两个单独的晶体管仍然是普遍的。达林顿对历史是由贝尔实验室在悉尼，达林顿发明的，他的专利涵盖了具有单个两个或三个晶体管，而不是晶体管任意数量的电路芯片，因为它会覆盖所有现代集成电路设计。类似的设计的相关加入互补晶体管电路（包括一对NPN和PNP晶体管的）称为阿西克（Sziklai对），也被称为互补达林顿对晶体管。

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