SI2302价格

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①，在其上面的MOS晶体管Sl2302 AO3400A管没有被替换，因为，属于对SI2302 N沟道MOS场效应管，所述参数是压力@：@ 20V电流：2、1A，这也属于AO3400A N沟道MOS FET，该参数是压力@：@ 30V电流：7A //。因此，前者不能代替后者。 虹桥路2302号桑拿。

SI2302价格：请问FET si2302什么与si2302ds的区别是什么？

事实上，这两个MOS管是2302型号，但SI2302是市场总体发挥中立的标签2302、并且是SI2302DS VISHAY车型。 爱舍墙布的价格。

FET（场效应晶体管缩写（该FET））简称FET。有两种主要类型（结型FET-JFET）和金属是 - 氧化物 - 半导体场效应晶体管（金属氧化物semiconctor FET中，被称为MOS-FET）。大多数导电性载体的参与，也被称为单极晶体管。它属于电压控制半导体器件。具有高输入电阻值（10〜10Ω），低噪声，低功率，高动态范围，易于集成，无二次击穿，宽的安全操作区域等，已成为一个强大的双极型晶体管和功率晶体管的竞争对手。

场效应晶体管（FET）是一种半导体器件，以控制回路电流输出，电场效应和电路的因而命名控制输入。因为它单独

大多数半导体导电的载体，也称为单极晶体管。

FET英语作为一种场效应晶体管，简称FET。

SI2302价格：未知参数和贴片

SI2302是晶体管，属于

主要参数的增强型场效应晶体管的N-MOS FET SI2302BDS的工作原理：

晶体管类型：N沟道MOSFET

最大功耗PD：1、25W 虹桥路 2302。

栅极阈值电压VGS：2、5V（典型值）虹桥路2302号地下室。

漏 - 源电压VDS：20V（极限值）20V 虹桥路2302号会所关了。

漏极电流ID：2、8A

-state电阻RDS（on）：0、145ohm（典型值）

栅极漏电流IGSS：±100nA的

结温：55℃至+ 150℃虹桥路2302停业。

替代模式：SOT- 23（TO-236）

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SI2302价格：SI2301 SI2302可以取代它

SI2301 P沟道，SI2302是N沟道？无法替代的！ ME2302可以代替SI2302、

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