SI2302规格

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FET（场效应晶体管缩写（该FET））简称FET。有两种主要类型（结型FET-JFET）和金属是 - 氧化物 - 半导体场效应晶体管（金属氧化物semiconctor FET中，被称为MOS-FET）。大多数导电性载体的参与，也被称为单极晶体管。它属于电压控制半导体器件。具有高输入电阻值（10〜10Ω），低噪声，低功率，高动态范围，易于集成，无二次击穿，宽的安全操作区域等，已成为一个强大的双极型晶体管和功率晶体管的竞争对手。

场效应晶体管（FET）是一种半导体器件，以控制回路电流输出，电场效应和电路的因而命名控制输入。因为它单独

大多数半导体导电的载体，也称为单极晶体管。

FET英语作为一种场效应晶体管，简称FET。

做的小四轴飞机，不用电转移，SI2302 FET这是否可以被转换成两个TB6612FNG电机驱动模块，以控制无芯马达？

FET电流。如图3A所示，每个马达驱动模块输出1、2A，并用足够的，但改变的电路结构，以及驱动模块的其他控制终端，它不能直接替换。无芯马达可以通过改变电路来控制。没问题。

si2302 MOS管，再加上漏极 - 源极电压的使用，门没有给出高电平时，MOS管也导通的源极和栅极，能耗内部电容屏幕之间cj2302规格书。

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SI2302规格：？ SI2301 SI2302可以取代它

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SI2302 MOS管的最大开关频率是多少呢？这是参数

开关他的特定条件下，一般没有问题

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主效应晶体管参数：晶体管类型2302。

：N沟道

的MOSFET最大功耗PD：1、25W si2302。

栅极阈值电压VGS：2、5V（典型值）

漏 - 源电压VDS：20V（极限值） 20V 身份证2302开头是哪里。

漏极电流ID：2、8A

-state电阻RDS（on）：0、145ohm（典型值）EU2302。

栅极漏电流IGSS：±100nA的2302是哪里的身份证。

结温：55℃至+ 150℃

替代型号：SOT-23（TO-236）

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