基于安森美高频率准谐振NCP1342搭配GaN的65W PD电源适配器

Max · 发表于 2020-11-18 17:38:27

电源适配器曾在电子产品中占据相当大的空间，而市场对于高功率密度的需求也正日益增高。过去硅(silicon)电源技术的发展与创新曾大幅缩减产品尺寸，但却难有更进一步的突破。在现今的尺寸规格下，硅材料已无法在所需的频率下输出更高的功率。对于未来的5G无线网络、机器人，以及再生能源至数据中心技术，功率将是关键的影响因素。GaN作为款能带隙材质，在电子迁移率远远高于硅，输出电容也大大小于硅，致使其可工作在更高频率以致变压器尺寸可以做的更小来实现更高功率的小尺寸电源。

► 场景应用图

► 产品实体图

► 方案方块图

► 核心技术优势

 高频率准谐振反激控制芯片

 支持8pin与9pin的2种封装

 集成了HV pin，里面同时集成了BO与X2电容放电功能

 NCP1342有波谷锁定功能，最多6个波谷锁定。

 最小工作频率（26KHz）的钳制和安静跳模式

 空载功耗 < 30 mW @ 265 Vac

 频率抖动以减小EMI干扰

 频率反走以及MPCM（最小峰值电流调制）功能来减少开关次数提高轻载效率

► 方案规格

采用NCP1342搭配英诺赛科的INN650D0265W做的小体积电源适配器，尺寸：60*31*31mm
待机功耗小于60mW
功率密度达到18W/in3
满载最大效率达到94%
支持PD3.0

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基于安森美高频率准谐振NCP1342搭配GaN的65W PD电源适配器

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